X)Cd_XTe相关论文
对不同Ｓｂ掺杂浓度Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ≈０３８）样品在３９—１１５Ｋ的温度范围内进行了光致发光实验测量，观察到与局域激子、带到带和施主受主对有关的辐射复合过程．并用......
利用红外光谱、光致发光光谱与Hall测量等手段，对Fe掺杂Hg1-xCdxTe体单晶样品进行实验，研究了Fe在Hg1-xCdxTe中的杂质行为，发现Fe掺杂......
研究了表面固定电荷密度对ＨｇＣｄＴｅ光导探测器性能的影响，计算结果表明，表面固定电荷对器件的性能有着重要的影响，选择合适的钝化工艺，控制表面......
采用傅里叶变换红外光谱仪，在４．２～３００Ｋ、２０～３５０ｃｍ－１范围测量了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ的远红外透射光谱，研究了剩余射线吸收带两侧样品的吸收行为．除了单声子及双声子模外，还观察......
我们发现Hg1 -xCdxTe的拉曼散射峰随着温度的变化会发生频移 ,它的二级散射峰来自LO1 +LO1 ,LO1 +LO2 ,LO2 +LO2 ,并且它们的强度......
通过变磁场霍尔测量方法 ,采用由迁移率谱和多载流子拟合过程相结合的混合电导法 ,在 1 2 - 30 0K范围内 ,获得了两块分子束外延 (......
为改善淬火—退火法制备的 Hg_(1-x)Cd_xTe(MCT)晶体的质量,我们设计了一种“热浴淬火”的淬火技术。所谓“热浴淬火:就是将合成......
在取向不同的ＣｄＴｅ衬底上用液相外延技术生长了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ薄膜，结合金相显微镜、红外显微镜、Ｘ射线双晶衍射、红外吸收及Ｒａｍａｎ光谱等手段分析了不同邻晶面......
本文研究了在酸性CdSO_4+HTeO_2~+6HgCl_2 电解液中多晶富镉Hg_(1-x),Cd_(?),Te(x>0.5)的电沉积过程,实现了三种离子在同一电位下......
用扫描电子显微镜、能量散射Ｘ－射线分析及金相显微镜等方法，研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ液相外延薄膜的表面形貌与衬底沾污等的关系，以及外延层夹杂和晶界存......
根据Hg1-xCdxTe晶体结构、组分和点阵常数的关系，导出Hg1-xCdxTe晶体密度和组分的关系式。讨论了温度对晶体密度的影响，与参考文献中......
利用正电子（ｅ＋）湮没寿命谱实验研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体样品的空位缺陷．碲溶剂法生长的样品，不论是ｎ型导电还是ｐ型导电都存在大量的Ｈｇ空位．经过合适的退火工......
在4～300°K的范围内,测量了组分0.195...
本文介绍在含0.1克分子浓度KOH的甲醇溶液中和在90％乙二醇和10％缓冲水溶液中(它们的pH是6～70),通过阳极氧化在Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.205......
本文叙述一种在Hg_(1-x)Cd_xTe上形成氧化薄膜的新的等离子氧化工艺。测量了用自身氧化膜形成的金属——绝缘层——半导体器件的电......
已测定在Hg_(1-x)Cd_xTe中所选用的一些杂质的掺杂特性。主要着重的是IB和ⅢA族的元素,预计在金属亚晶格上取代。以及ⅤA和ⅦA族元......
由于Hg_(1-x)Cd_xTe的能带隙小而且可变,因此它已广泛用于红外探测器方面。对于这种应用其表面必须钝化。一种可能的钝化剂为光化......
前言本文讨论了“Te溶剂法”制备的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体中产生晶体横向组份分布分散性的主要原因。为了改善这种分散性,选取样品温......
工艺过程本文介绍等温、近距外延生长工艺,所用的两种外延装置的简略截面图看图1和2。反应室10是个容器,例如可用石英制作。该容......
将Hg注入到Hg_(1-x)Cd_xTe中,制成2～14微米带的p-n结光伏探测器。在上述整个波长范围内都已制得了高灵敏度光电二极管。最有意义的......
用一种新的气相方法在CdTe衬底上生长了Hg_(1-x)Cd_xTe外延层,该法可得包括整个合金范围(0≤x≤1)的组分。在利用分离元素源的开管......
测量了n型Hg_(0.61)Cd_(0.39)Te光电导样品的相邻触点a-6和b-c之间的闪烁噪声,触点a和b之间的区域没有晶粒间界,而触点a和c之间的......
n型Hg_(1-x)Cd_xTe光电导体的铟触点若用银浆连接金导线,触点在导电时便有很大的噪声。在任何情况下,把触点作为阴极时,有噪声的触......
本文报导高性能三波段Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探测器的制作工艺和特性。在77K分别测得上部、中间及底部元件在1～2、3～5及8～12微米波段的峰......
用Hg_(1-x)Cd_xTe在高温时的载流子浓度与温度的关系测定在能带边缘附近的能带参数。电子浓度用Kane模型(K·P方法)进行计算,所得......
本文叙述了将Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.205)放在0.1MKOH甲醇溶液、90%乙二醇和10%具有PH值为6—10的缓冲水溶液中,阳极氧化形成氧化物。......
本文研究了在开管滑移系统中由富Te溶液生长较低x值(0.2—0.3)的碲镉汞(Hg_(1-x)C_(dx)Te)外延薄层问题。提出一种具有独到特色的......
决定Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探测器性能的主要指标是其零偏压电阻与面积之乘积R_0A,Hg_(1-x)Cd_xTe材料中的深能级就是影响其PN结R_0A......
从前我们曾报导,汞离子注入能使p型Hg_(1-x)Cd_xTe层转变成n型并用这种技术制得高质量光伏探测器,其截止波长范围从2到14微米。这......
在CdTe衬底上,应用开管等温汽相外延(ISOVPE)已经生长出能达到制作器件的Hg_(1-x)Cd_xTe(0.2≤x≤0.35)外延层。层的表面形貌似镜,......
光导Hg_(1-x)Cd_xTe红外探测器是低阻抗器件(...
日本三菱电气公司中心研究所研制出一种高灵敏度固体摄像器件。该器件采用了ZnSe-Zn_(1-x)Cd_xTe异质结薄膜光导层。以具有大电荷......
对零禁带附近Hg_(1-x)Cd_xTe材料的物理性质,近来有了比较多的研究。因为这些材料将出现半导体、半金属相变,同时,当禁带趋于零时......
已用高压回流技术在汞压控制到80个大气压的情况下生长了Hg_(1-x)Cd_xTe合金晶体。回流是通过惰性气体的高压和负温度梯度在挥发材......
利用能带结构的Kane非抛物线近似值以及最近测得的重空穴质m_k和能带宽度E_g,计算了作为温度和组份函数的Hg_(1-x)Cd_xTe的本征载......
Hg_(1-x)Cd_xTe是窄禁带半导体材料,适于制备高质量的本征光电导红外探测器,而且可以通过控制x值,分别制备出响应波段在1～3μm,3～5......
本文利用Kane的非抛物型能带模型及费密-狄拉克统计推得Hg_(1-x)Cd_xTe的本征载流子浓度公式为n_i=(1+3.25KT/Eg)9.56(10~(14))E_g......
扫描电镜的电子束感生电压技术(SEM-EBIV)是研究半导体材料的有效手段,可以直观地显示材料中存在的势垒区。对N-Hg_(0.7)Cd_(0.3)......
本文描述了一种简单、可靠而经济的测定碲镉汞晶片x值的方法。文章着重论及其原理及使用。也列出了部分晶片的测定数据,可以看到按......
在过去几年内,外延HgCdTe已成为许多战略和战术成象系统所选用的红外探测器材料。一些作者报导了用以液相外延法制备的Hg_(1-x)Cd......
