正电子态相关论文
采用正电子湮没技术研究了不同煅烧条件下合成的β-C_S正电子寿命谱,按照正电子捕获理论,对实验所得寿命谱参数与β-C_S微观结构缺......
本文测量了各种ＩｎＰ样品中的正电子寿命谱，用正电子湮没率连续分布测量（ＣＯＮ－ＴＩＮ分析）结合ＰＡＴＦＩＴ分析正电子寿命谱，肯定了在ｎ型和半绝缘型ＩｎＰ中有Ｉｎ空位ＶＩｎ和Ｐ空位ＶＰ，而......
本文用正电子湮没寿命方法研究了塑性变形镍(含0.01％杂质)的回复过程的特点及杂质在缺陷回复过程的作用和影响,计算了形变为10％的试......
利用正电子（ｅ＋）湮没寿命谱实验研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体样品的空位缺陷．碲溶剂法生长的样品，不论是ｎ型导电还是ｐ型导电都存在大量的Ｈｇ空位．经过合适的退火工......
