能带隙相关论文
本文报道纳米硅P层对n-i-p型非晶硅(a-Si:H)电池性能特别是开路电压(Voc)的影响。Raman散射和透射电镜(TEM)分析表明，这种P层是复相......
奥地利维也纳大学物理化学学院M.Falmbigl等人详细研究了不同Ni/Zn比值对五元系Ⅰ-型笼形包合物Ba8Nix Zny Ge46-xy--z Snz热电性......
为了提高窄能带隙聚合物的溶解性和优化窄能带隙聚合物的能级分布,分别以4,7-双(5’-溴-2’-噻吩)-2,1,3-苯并噻唑(DTBT)和4,7-双(......
聚合物主体材料由于具有易加工,成本低等优点,对于实现高性能的蓝光和白色旋涂器件有重要意义,因而备受关注。本文通过Yamamoto反......
本文报道采用液相外延（ＬＰＥ）生长和传统光刻制管工艺研制出引入多层（三层或三层以上）中间能带隙过渡的吸收区、倍增区分离的ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）／ＩｎＰ雪崩光电二极管......
尽管在砷化镓衬底上能否生长出令人满意的亚稳态立方相氮化镓仍受到工业界的怀疑,但国家光电技术研究中心和北京半导体所的研究人......
根据发光波长、化合物半导体的能带隙和晶格常数三者的关系和实验数据，研究设计了ＩｎＧａＡｌＰ双异质结各层的ｘ，ｙ值组成、掺杂浓度、厚度等整个ＬＥＤ的管......
研究了共沉淀分解法制备的ZnCo_2O_4纳米粒子的光学和可见光催化性能,并对其晶体结构和微观结构用X射线衍射、热重/差热分析、透射......
据美国物理学家组织网9月7日报道,美国科学家首次制造出能在室温下工作的石墨烯变频器,克服了用石墨烯制造电子设备时的重要障碍—......
道·康宁复合半导体方案公司于近日称己与美海军研究局签订了一份价值360万美元的合同,开发碳化硅半导体材料技术。据悉,作为第三......
MTTF(Mean Time to Failure)平均失效时间,或称有效寿命,是半导体器件可靠性的基本参数,通常在最高工作结温下1×10~6小时,MTTF有......
1.引言测量100bar 左右的压力通常用石英压电传感器完成。而砷化镓(GaAs)是一种半导体材料,具有做成砷化镓集成电路的优点。又由......
就像当初人类认为地球上只有自己是可以进行创作劳动的高级生物一样，我们一直骄傲地认为，只有我们做到了让光随心所欲地为我所用，似乎......
以硝酸铈(Ce(NO3)3·6H2O)、硝酸铕(Eu(NO3)3·6H2O)、氨水(NH3·H2O)为原料和十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为分散剂,采用水热法制......
用布里奇曼法生长出ＴｌＧａＳ２单晶和ＴｌＧａＳ２：Ｅｒ（３＋）单晶。长成的单晶，其光致发光机理与深层能级及Ｅｒ（３＋）离子有关。由施主─受主对复合引起的宽发射谱带，对ＴｌＧａＳ２单晶，在５９６、......
简述了聚氧化乙烯介质中的铽、铕、铥、钆、钇、镓、锰掺杂的硫化锌纳米晶的制备方法以及紫外吸收光谱、激发光谱和光激发发射光谱......
由于Hg_(1-x)Cd_xTe的能带隙小而且可变,因此它已广泛用于红外探测器方面。对于这种应用其表面必须钝化。一种可能的钝化剂为光化......
本文描述了GaAs红外发射二极管和注入式莱塞二极管的制作工艺、设计考虑和其特性。这类器件广泛地用于工业和军事的许多设备上。文......
从置于低氧压真空中的 In+In_2O_3源里,借助热蒸发技术已制成高透射率(在可见光范围内透射率超过90%)和高导电性(电阻率(?)2×10~(......
本文首次观察了用ＭＯＣＶＤ方法生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ外延层的能带隙移动，并给出了ＧａｘＩｎ１－ｘＰ外延层光荧光（ＰＬ）峰能量随组分ｘ的变化关系，结果表明ＰＬ是探测混晶组分的简单而有效......
本文针对带隙基准电路中基极一发射级与温度的非线性特点,利用Bipolar管的电流增益β和温度的特性,对带隙基准电路进行指数补偿,以......
针对带隙基准电路中基极-发射级与温度的非线性特点，利用Bipolar管的电流增益β和温度的特性，对带隙基准电路进行指数补偿，以消除高阶......
通过Stille 偶联反应合成了基于萘酰亚胺和苯并噻二唑的新型共轭聚合物.并对聚合物进行了一系列的结构表征和性能测试,结果表......
纳米材料由于其独特的表面效应、体积效应、量子尺寸效应和宏观隧道效应等，而呈现出许多奇异的物理、化学性质，已在冶金、化工、轻工......
用MOCVD方法在GaAs衬底上生长了AlGaInP的本征及掺Si或掺Mg三个样品。用椭偏光谱法测量了样品在室温下可见光区的光学常数 ,并求其......
对于功率电子而言，宽能带隙材料能够以相同甚至更低的成本，显著改善效率、尺寸及重量等指标。简单地说，宽能带隙器件具有优胜10倍的导......
报道了几种典型的光压谱(PVS)和光荧光谱(PLS);比较了PVS中吸收边Eα和PLS中峰能值Ep的关系;分析指出,最窄能带隙Eg=Ep-1/2KT=Eα;......
用从头计算方法研究了B_(12)C_xN_(12-x)(x=2,4)笼的几何和电子结构.从B_(12)N_(12)中用C原子替换N原子得到B_(12)C_xN_(12-x),这......
美国《每日科学》网站报道,由第14族元素构成的二维材料(石墨烯的“表亲”)近年来引起极大关注,因为它们具有成为拓扑绝缘体的潜力......
采用低温沉淀法合成了一系列Bi OMxN1-x（M,N=Cl、Br、I）...
A novel curvature-compensated CMOS bandgap voltage reference is presented. The reference utilizes two first order temper......
介绍了应变量阱材料单结点失配位错能量平衡模型，计算了一些典型量子阱 阱层临界应变和应变体材料的最大允许应变。报告了Ｎｏ．５５８压应变量......
英特尔日前声称开发出全球首枚全硅激光芯片。该公司的开发小组通过采用受激拉曼散射(stimulated Raman scattering)，排除了通常会......
本文首次观察了用ＭＯＣＶＤ方法生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ外延层的能带隙移动，并给出了ＧａｘＩｎ１－ｘＰ外延层光荧光峰能量随组分ｘ的变化关系，结果表明ＰＬ是探测混晶组分的简单而有效......
为了研究钛掺杂对Cu3N薄膜特性的影响,利用射频和直流反应共溅射方法,在硅（100）和ITO玻璃衬底上,成功制备了不同Ti掺杂量的Cu3N薄膜（T......
美国科学家首次制造出能在室温下工作的石墨烯变频器，克服了用石墨烯制造电子设备时的重要障碍——能带隙。最新研究有望让科学家们......
The factors affecting one dimensional (1D) and two dimensional (2D) photonic crystals (PhCs) are systemically analyzed i......
本文将光子晶体的概念应用于土层结构设计,并利用传输矩阵法计算了p波在土层结构中的传播特性.结果表明,这种土层结构可以全部反射......
为微条线的新奇背叛地面结构(DGS ) 在这份报纸被建议。DGS 格子有更多的缺点参数以便它能比常规塑造哑铃的 DGS 提供更好的性能。......
对于功率电子而言，宽能带隙材料能够以相同甚至更低的成本，显著改善效率、尺寸及重量等指标。简单地说，宽能带隙器件具有优胜10倍的导......
导电聚合物电致变色材料(ECPs)由于具有着色效率高、响应速度快、颜色变化丰富、易分子设计、成本低廉、且易于禁带控制与结构修饰......
<正>The photocatalytic reductive capability of a natural semiconducting mineral, sphalerite has been studied for the fir......
