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利用数值模拟仿真,本文设计了基于薄外延的P埋层双RESURF LDMOS.与传统单RESURF LDMOS相比,改善了器件的表面电场分布,降低了导通......
介绍了一种硅化钛双层多晶硅自对准工艺技术。它是在双层多晶硅自对准技术基础上，采用薄外延和高压氧化形成器件制作区域，利用快速退......
提出硅基薄外延RESURF LDMOS不全耗尽和完全耗尽的完全耐压模型。基于求解二维Poisson方程，获得该结构二维表面电场和击穿电压的完......
提出薄外延阶梯掺杂漂移区RESURF结构的耐压解析模型。借助求解二维Poisson方程．获得薄外延阶梯掺杂漂移区的二维表面电场和击穿电......
