单粒子烧毁效应相关论文
随着当今科技的飞速发展和第三代半导体的广泛应用,电力电子系统和集成电路系统对功率半导体器件的要求日益提升。4H-Si C结势垒肖......
利用飞秒脉冲激光对氮化镓（GaN）功率器件进行单粒子烧毁效应定量评估技术研究，针对器件结构建立脉冲激光有效能量传输模型，计算了激光......
随着功率半导体器件发展到深亚微米时代,传统体硅材料已经接近物理极限,SOI（Silicon on Insulator）的出现改善了体硅材料的不足,同时......
SOI LDMOS功率器件的栅极、源极和漏极在同一表面,易于集成,同时具有较快的开关速度和较小的寄生效应等优点,作为电源开关,是高压......
SOI(Silicon-On-Insulator)高压LDMOS(Lateral Double Diffusion Metal Oxide Semicon-ductor)作为高压集成电路的核心器件,广泛应......
通过三维数值模拟,深入分析了P+ Plug区的深度、源区掺杂浓度、漏极偏置、入射离子的LET值、入射角度和入射位置对功率UMOSFET (U-......
静电感应晶体管（Static Induction Transistor,SIT）是近年来重新发展起来的一类功率器件。由于其具有耐压高、电流容量大、抗辐射性......
近些年来碳化硅(SiC)材料已经成为了功率半导体行业的一个研究热点,SiC功率MOSFET器件更是被广泛应用于工作在高压、高频尤其是高......
利用重离子加速器和60Co γ射线实验装置,开展了p型栅和共栅共源级联结构增强型氮化镓基高电子迁移率晶体管的单粒子效应和总剂量......
对埋栅型静电感应晶体管(SIT)和垂直双扩散MOSFET(VDMOS)的抗单粒子烧毁(SEB)能力进行了仿真对比研究.利用Medici软件,仿真得到两......
建立了功率MOS器件单粒子烧毁效应的等效电路模型和相应的参数提取方法，对功率MOS器件的输出特性和单粒子烧毁效应的机理进行了分析......
功率MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）在空间辐射环境中极易受到高能质子、重离子的影响发生单粒子效应（s......
