射频溅射相关论文
本文以自制掺Ce3+钇铝石榴石（YAG）荧光粉为原料经烧结得到陶瓷靶材,利用射频溅射法在石英基片上制备薄膜,氩气工作气压为3Pa,随后在......
介绍了RF溅射冷压法制备的PZT陶瓷粉末靶和块状靶制取PZT薄膜的过程。二种方法避开了热压法制作PZT陶瓷块状靶的复杂工艺及昂贵设......
分别采用射频溅射和射频反应溅射方式在AZ31镁合金表面制备了氧化铌涂层，并利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、......
在过去的几十年中,氮化硼（BN）由于其卓越的特性和新颖的晶体结构在多个领域有着广泛的应用。这些应用包括绝缘润滑剂、气体存储材料......
通过射频溅射的方法在单晶硅基底上制备了不同调制波长的Fe/Mo纳米多层膜.利用XRD分析了薄膜相结构,用纳米力学微探针测定了薄膜的......
本文结合ZnO薄膜在Cu-III-VI基薄膜太阳电池上的应用,采用射频(RF)磁控溅射技术以陶瓷ZnO:AlO为靶材在ZnS/CuInS/Mo/钠钙玻璃衬底......
氧化锌(ZnO)具有较宽的带隙(3.3eV)和较低的亲和势(3.0eV),有可能用作薄膜场发射中的阴极材料。本文主要研究了采用射频溅射法制备......
受工艺条件限制,要求AIN与Cu的接头连接温度不得高于250˙C,本文成功地应用射频溅射TI膜对AIN陶瓷进行表面改性,然后再将其与Cu用S......
本文采用射频溅射技术,在硅和石墨衬底上制备出六方BCN薄膜,并应用IR、XRD、XPS手段系统地研究了沉积参数对BCN膜生长及结构的影响......
用射频溅射系统制备了c-BN薄膜,并且用离子注入的方法在c-BN薄膜中注入Be,制备了p-c-BN/pSi薄膜同型异质结,并研究了异质结的电学......
用反应射频溅射法和涂敷法在导电玻璃上制备TiO2薄膜,并用Ar射频等离子体对TiO2薄膜进行处理.按"三明治"结构将TiO2工作电极、Pt......
以高纯碳化硅块体为溅射靶、单面抛光的Si(100)片和单晶NaCl为基片,采用射频溅射方法来制备无定形碳化硅薄膜.通过对沉积在NaCl基......
在高温、高真空或高低温循环等苛刻条件下,液体润滑剂由于无法满足使用要求使润滑剂面临严峻的挑战。在这些环境中,固体润滑膜可以......
Niobium-doped ZnO transparent conductive films are deposited on glass substrates by radio frequency sputtering at 300℃.......
许多A-15相材料是重要的实用超导材料。由于超导转变温度是材料性能的重要指标,因此人们较注重研究如何提高A-15相材料的临界温度......
一、热电效应1.热电体 当温度发生变化时,能引起极化状态发生变化的晶体(或物质)称为热电体.例如,把电气石[(Na,Ca)(Mg,Fe)3B3Al6S......
本文作为应用基础研究了射频溅射非晶硅薄膜的一些光电特性,着重在溅射条件与氢化处理(包括氢氩混合溅射及在溅射后对薄膜进行等......
Egami等曾提出Fe_(80)B_(20)溅射合金的T_(Cr)比同成分液淬合金高50K;Tsumashima等则报道Fe基溅射薄膜的T(Cr)比液淬合金略低或相......
期刊
真空溅射镀膜设备中加热装置在镀膜时常出现打火现象，本文采用金属屏蔽和外壳接地的方法很好地解决了这一问题。
Vacuum sputterin......
本文描述了采用JS-450D型射频溅射设备,在GaAs衬底上获得了AIN薄膜。对这种膜在H_2、N_2中不同温度下退火实验,分析了热处理对膜绝......
用射频溅射工艺制备了ｎｍＡｌ粒子的多层复合膜，通过控制Ａｌ粒子和ＡＩＮ膜的生长时间，成功地控制了Ａ１粒子的粒径和在复合膜中的纵向分布。用ＴＥＭ暗场法并结......
用热蒸发法和磁控离子射频溅射法制备了ZnS薄膜,利用X射线衍射技术对所研制的薄膜的结构相特性进行研究,为研制高效的光电材料提供......
研究了ＳｎＯ２薄膜的光学特性及有关光学参数的推导，建立了光学气敏的数学模型。较详细地研究了不同结构的ＳｎＯ２薄膜接触还原性气体后光透射率的......
介绍多次微量蒸发技术制取锆钛酸铅（ Ｐ Ｚ Ｔ） 薄膜． Ｘ Ｒ Ｄ 分析表明：经高温退火处理后的薄膜呈与源材料一致的钙钛矿结构，增加退火时间能减少......
利用射频溅射在硅衬底上制作 Ｐｔ膜电极，以溶胶－凝胶法制作的低阻 ＳｎＯ２为敏感层制成平面热线式气敏元件．研究了工艺条件、掺杂行为及其对气敏......
本文对射频溅射法淀积的ａ－ＳｉＣ∶Ｈ膜热退火形成６Ｈ－ＳｉＣ相进行了研究．我们采用红外透射谱、喇曼背散射谱和Ｘ光衍射谱来研究退火形成６Ｈ－ＳｉＣ的过程．在较高的射......
低温衬底使器件在制膜过程中避免热伤害． 研究得到强水冷衬底的射频反应溅射法制备ａ－ＳｉＯ２ 薄膜的最佳工艺条件． 所制得的薄膜具有好的致密......
用热丝 CVD法 ,以甲烷、氮气和氢气为气源 ,在 Si( 1 1 1 )衬底上沉积了C- N薄膜。用 X射线光电子谱 ( xps)、喇曼光谱 ( RS)、X射......
用金属铝靶射频反应溅射制备了Al2O3薄膜，用作LCD基片玻璃的钠离子阻挡层。报道了射频溅射参数对薄膜沉积速率和折射率的影响。测试......
介结了射频溅射ＳｉＯ２的原理与工艺，对制造出的Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ作了分析。
Intercept the principle and process of RF sputtering SiO2, made on the a......
磁控溅射法制备ＳｉＯ２ 膜传统上采用射频溅射工艺，但它成本较高，效率较低，无法充分满足大面积镀膜工业生产的需要。近年来，反应磁控溅射在解......
在铁磁金属中只有钴具有单轴各向异性和高磁各向异性。以钴基合金薄膜作为高磁性材料已广泛用于储存和记录元件。钴薄膜的制备一......
1973年在A.F.Ioffe物理—技术学院成立了以I.A.SmirnoV教授为首的稀土研究小组。此小组的主要研究方向为稀土半导体的制备和研究,......
用射频溅射方法,在担体上沉积一层α-Al_2O_3薄层,在溅射过程中使担体不断转动,以达到涂层均匀的目的。把溅射所得的样品用作色谱......
一、引言在冷凝式汽轮机中,处于较低干度下运行的大功率汽轮机末几级叶片,由于湿蒸汽中微小水滴对高速旋转的末叶片发生相对撞击,......
采用射频磁控溅射法在不同衬底温度和不同氮气分压下在石英玻璃衬底上制备氮化锌薄膜.利用XRD和喇曼散射仪分析了样品的晶体结构和......
我厂热处理车间有一台YC100～250型高频淬火机,在使用中,我们逐渐认识到高频感应淬火机的所谓射频溅射技术。据资料介绍,当一定的高......
采用射频磁控溅射法在Pt/TiO2/SiO2/Si(100)衬底上制备了Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜,研究了工作气压、衬底温度等溅射参数对Ba0 .7Sr0.3Ti......
磁控溅射系统在恒定Ar气压和Ar气流流量下,使用不同射频溅射功率在Si(100)衬底上分别沉积Ca薄膜;随后,800℃真空退火1 h.立方相的C......
在低温HVPE-GaN/c-Al2O3模板上射频溅射ZnO作为缓冲层,采用氢化物气相外延(HVPE,hydridevapoarphaseepitaxy)法外延生长了高质量的......
设计了一种Si基金刚石薄膜上的SAW RF MEMS滤波器,其中心频率为400MHz,叉指换能器(IDT)线宽为5μm。采用中物超硬材料公司定制的硅......
ACCI(Accelerated Coated Conductor Initiative)计划的目的旨在联合美国能源部所属实验室、工业界、以及大学共同努力 ,加速 YBCO......
高温超导材料因其得天独厚的材料性能而使得它具有广泛应用的潜力，而第二代高温超导带材是这一应用的最主要体现形式。本文主要研究......
