本文报道的内容为a-Si:H/c-Si异质结太阳电池(简称a/c硅太阳电池)结构设计和相关材料ITO与a-Si:H研究的工作。 本文第二章简要介绍了a-Si:H/c-Si异质结太阳电池的发展历史和基本原理。 第三章我们尝试用微电子模拟软件AMPS对p a-Si:H/I a-Si:H/n c-Si结构进行了多参数数值模拟。模拟结果表明异质结能带补偿可以影响a/c异质结太阳电池少数载流子的采集和HJ太阳电池J-V特性影响，造成J-V曲线扭曲。A/c界面态密度影响异质结两侧空间电荷的分布，而电荷的分布会影响界面附近的能带结构，进而影响载流子的运动，提高复合率和反向饱和电流。A-Si:H层很薄时，其上的ITO薄的功函数φ会影响a-Si:H薄膜内势垒的分布。在极端情况下ITO/a-Si:H势垒会抑制载流子流向电极，从而极大地降低太阳电池的性能。 第四章报道了利用磁控偏压射频溅射技术在180℃的温度下进行沉积ITO薄膜的工作。 第五章报道了HWCVD设备工作原理，设计，安装调试及初步实验结果。