等离子体氧化相关论文
随着社会工业化进程的不断加快与发展,化工废水量也大幅增加,对环境的危害日益加剧.利用微波液相放电产生等离子体氧化处理难降解......
Ti-O膜或TiO膜是一种生物相容性很好的生物陶瓷材料.本文提出了合成该类陶瓷材料的1种新方法即辉光放电等离子体氧化法.并对离子轰......
报道了用低温等离子体直接氧化溅射金属铪膜的方法制备介电HfO薄膜.研究了退火温度及气氛对薄膜的结构和界面特性的影响.傅立叶变......
Blue emission from hydrogen-containing a-Si：H／SiO2 multilayers and the investigation of its mechanis
A series of hydrogen-containing a-Si:H/SiO2 multilayers with different a-Si:H sublayer thickness were fabricated by laye......
以钛为基体,在较短的时间内,采用微等离子体氧化法制备了Ti O2薄膜。以罗丹明B溶液为目标污染物测试所得Ti O2薄膜光催化性能。为......
研究了LD31铝合金在硅酸盐电解液中通过添加不同的添加剂而获得具有不同色泽的微等离子体氧化陶瓷膜层的工艺,分析了各种工艺参数......
在钛合金表面用微等离子体氧化能产生一层陶瓷膜。将重铬酸钾引入磷酸盐电解液将使钛合金微等离子体氧化过程的槽电压升高 ,经对所......
苯的主要脱除方法包括催化氧化法和吸附法。由于苯分子的结构稳定性，负载贵金属催化剂催化苯的完全氧化也要在150℃以上。常用......
挥发性有机物(VOCs)是大气污染的重要组成部分,会危害环境及人体健康。介质阻挡放电(DBD)是吸附存储-等离子体催化氧化VOCs最常用......
采用ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、扫描电镜（ＳＥＭ）等方法初步研究了镁合金微等离子体氧化膜的相组成及形貌特征。结果表明，该技术能在镁合金表面生长一层厚度......
使用Ｘ射线衍射仪和显微硬度计测定了ＬＹ１２铝合金微等离子体氧化陶瓷膜沿深度方向 的相分布及显微硬度变化曲线．结果表明，铝合金微等离子体......
用高频辉光放电产生氧等离子体进行GaAs阳极氧化,直径40mm的晶片上可生长出均匀的无定形氧化膜,击穿电场强度±10~6V·cm~(-1),电......
用射频产生的氧等离子体实现了硅的无电极等离子体氧化。研究了氧化膜生长速率对衬底温度、氧气压、衬底离等离子区的距离以及射频......
一、 引言 低温能避免高温引起的杂质再分布,杂质表面耗尽,“鸟嘴”结构形成,以及硅片翘曲和热诱生缺陷等,保证高密度IC的实现。......
GaAs的等离子体氧化国外已有报道,其表面态密度约为10~(11)/cm~2·eV量级,击穿场强大于10~6V/cm。可用于MOSFET器件、半导体激光......
对温度500℃、RF氧等离子体氧化生长的SiO_2形成的MOS结构进行了DLTS测量.应用能量分辨DLTS模型对这种高密度界面陷阱的特性进行了......
本文采用等离子体氧化结合喷砂酸蚀技术在牙种植体上制备出一个多孔结构的氧化钛表面。结果表明该表层具有超亲水特性，能够促进......
目的通过动物植入实验对比喷砂酸蚀组种植体(SLA)与等离子体氧化喷砂酸蚀+氢氧化钠溶液浸泡组种植体(SLA-Plasma O-Na OH)在不同时......
通过荧光光谱研究了放电等离子体氧化的α Si∶H薄膜的荧光特性 ,在 45 0nm～ 5 0 0nm范围内常温下观察到强蓝光发射 ,发光强度随沉......
镁合金作为生物医用材料，因其密度小、比强度高以及生物相容性好等特点而受到广泛关注，但镁合金的腐蚀速度过快制约了其临床应用。进......
该论文采用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)生长技术,原位制备了SiO/nc-Si/SiO的纳米结构.实验中我们首次采用等离子体氧化的方......
当代社会已进入了信息化的时代，微电子产业作为实现信息化的基础，其重要性越来越突出。然而随着集成度的不断提高，器件的尺寸已接近物......
在微电子芯片中,用光互联代替电互联是克服微电子技术“互连瓶颈”,提高信息传输和处理能力的重要的可行途径。硅基单片光电集成应......
该文探讨了在低碳钢和不锈钢表面制备氧化物陶瓷膜的新方法.首先采用热浸镀铝工艺在钢材表面生成Fe-Al化合物层和纯铝层,然后用液......
采用真空射频辉光放电技术对喷砂酸蚀工艺处理后的钛表面进行了等离子体氧化处理,利用扫描电子显微镜、接触角测量仪及X射线光电子......
面向常规方法难以处理的行业有机废水,研究一种非常污染物控制技术“活性炭吸附/介质阻挡放电等离子体(DBDP)氧化联合水中毒性有机......
报道了在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中用交替淀积a-Si对其进行原位等离子体氧化的方法制备了a-Si:H/SO2多层膜.随着a-Si......
在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中, 采用a-Si:H层淀积与原位等离子体氧化相结合逐层生长的方法成功制备了一个系列的不同a......
在等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)系统中 ,采用a Si∶H层淀积与原位等离子体氧化相结合的逐层生长的方法成功制备出a Si∶H SiO......
在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,利用逐层淀积非晶硅(a-Si)和等离子体氧化相结合的方法制备二氧化硅(SiO2)介质层.电容......
等离子体氧化方法能够在纯钛种植体表面产生梯度变化的TiO2-x层,使其显著提高表面的亲水性和生物相容性,但是在空气中长期存放由于......
利用等离子体氧化技术对钛进行了表面处理,并对其组织形貌、晶体结构以及结合强度和弹性模量等力学行为进行了讨论.结果表明:钛表......
该发明涉及涡轮分子泵叶片表面处理技术领域，特别是一种耐腐涡轮分子泵叶片的等离子体处理方法，包括如下步骤：（1）等离子体清洗：将叶片放......
在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中,采用等离子体氧化和等离子体氮化的方法,在单晶硅表面上成功制备厚度小于10nm的超薄硅......
采用空气等离子体氧化及单向应力释放法制备出近似平行排列的聚二甲基硅氧烷波浪形微纳米沟槽阵列，并阐述了经等离子体氧化的聚二甲......
对纯钛表面在不同电压下制备了等离子体氧化膜,采用声发射监控的划痕法研究了等离子体氧化膜的临界载荷Lc.形貌和成分分析显示随着......
研究Magoxid工艺中镁合金等离子体氧化的过程，此过程分为三个阶段：普通阳极氧化、微弧氧化以及弧光氧化。随着氧化的进行，施加的电压......
利用等离子体氧化方法在单晶硅片上制备了厚度小于10nm的超薄SiO2层，通过傅里叶红外光谱（FTIR），X射线光电子谱（XPS），透射电子显微镜（TEM），椭......
报道了在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中用交替淀积a-Si对其进行原位等离子体氧化的方法制备了a-Si:H/SO2多层膜.随着a-Si......
液相等离子体电沉积技术是一项新兴的表面处理技术,利用此技术可在多种金属及合金表面得到耐磨、耐蚀、耐热冲击、绝缘的优质膜.本......
一种制作量子尺寸超微细图形的新方法傅绍军，夏安东，洪义麟，田扬超（中国科技大学国家同步辐射实验室）０引言具有二维和三维量子限域作用的......
采用等离子体氧化方法处理镁舍佥材料时，为了获得好的镁合金氧化膜，先恒定电流，随着氧化膜厚度的生长，电压自动上升，当升至450V时，再恒定......
将真空蒸发沉积的铝膜，在一台高频等离子体辉光放电的装置中进行阳极氧化。铝膜表面氧化层的特性用ＸＲＤ、ＸＰＳ、ＡＥＳ和四探针法测定。结果表明，铝......
在恒定直流偏置电压下,在稍长的时间t以后,等离子体阳极氧化锗膜的生长遵从抛物线规律X_t~2-X_v~2=kt,并由离子迁移理论推导出氧化......
介绍一种流光放电烟气脱硫湿法工艺流程，其特征是：（1）采用交直流叠加（AC／DC）方式在工业型反应器发生分布良好的流光放电等离子体；（2）取代传统......
