论文内容分为两部分:第一部分,研究了氧分压、退火对氧化铋薄膜的结构和光学性质的影响.第二部分,利用光学矩阵法探讨介质层厚度、衬底对双记录层磁光多层膜系的光强分布和焦耳分布的影响.具体内容如下:1.利用纯氧化铋靶在不同的氧分压下制备了氧化铋薄膜,研究了氧分压对结构的影响,并分析了相对应的光学性质;同时,研究了退火对性质的影响.利用X射线衍射(XRD)技术分析结构的结果表明,氧分压从0到0.4增加的过程中,BiO相成分在逐渐减少;当氧分压为0.4时,BiO相消失,其余晶系结晶也较差,薄膜几乎为非晶态薄膜.由于氧化铋膜的相成分多,结晶情况复杂,大多报导对其的分析只限于个别的波段.本文采用成熟的椭偏技术测量了Si衬底的氧化铋样品,利用商业软件Filmwzard对椭偏参数进行拟合,获得了能量范围从1.5eV~4.5eV的氧化铋膜的光学常数,并由其计算了光学禁带宽度,其值与相关文献报导的不同方法制备的氧化铋膜的光学禁带宽度的值相近似.拟合得到的样品厚度,与台阶仪测量的厚度在误差范围内基本吻合.研究发现,随着氧分压的增加,光学禁带宽度降低.2.计算了介质层的厚度和衬底的折射率对磁光双层膜系的光强分布和焦耳分布的影响.由此可知,衬底的折射率应与毗邻的介质层折射率尽量一致,以便在磁光双层膜系中得到最好的光强分布;并提出介质层厚度对膜系的光强分布和焦耳分布也有重要的影响.以上结论为高性能磁光存储薄膜结构的设计和研究提供参考.