【摘 要】
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该文作者采用射频反应溅射方法制备CN薄膜.系统地研究了溅射条件(溅射气体、溅射功率、衬底材料、衬底温主工、衬底偏压等)对沉积CN薄膜的沉积速率、薄膜中氮原子浓度、薄膜
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该文作者采用射频反应溅射方法制备CN<,X>薄膜.系统地研究了溅射条件(溅射气体、溅射功率、衬底材料、衬底温主工、衬底偏压等)对沉积CN<,X>薄膜的沉积速率、薄膜中氮原子浓度、薄膜的微观结构及物理性质的影响.得到了用射频频溅射方法制备高含量氮CN<,X>薄膜的优化条件:6-8Pa的加氮气(N<,2>),不加或少加保护气体氩气(Ar),200W左右的溅射功率,尽可能低的衬温度和对衬底不加负偏压.在优化条件附近, 均能制备出表面光滑,与衬底附着良好的高含氮CN<,X>薄膜,薄膜的生长速率达到最大值50.3nm/min;薄膜中的氮原子浓度达到0.41,局部最大氮原子浓度达0.47.
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