吸附原子相关论文
从上世纪80年代开始,随着扫描隧道显微镜（STM）等表面技术的快速发展,通过设计和控制表面吸附原子来调控二维电子系统的各种物理性质......
采用表面嵌入势，用静态计算和分子动力学方法研究了Ａｇ，Ｐｇ，Ａｕ单个吸附地原子在表面上的自扩散现象，分别给出了跟踪几交换机制所对应的能量变化......
場发射显微鏡是密勒(Muller)在1936年发明的,但其重要性却直到第二次世界大战之后才逐漸被认识。近年来,超高真空技术飞速进步,为......
这些活动中立，向没有吸附的 anionic，和 cationic Au， Au (100 ) ，和 Au (310 )(111 ) 表面，以及 Au (111 ) 上的 Au adatom 表面被执行......
由使用第一原则的计算，我们系统地调查了结构的稳定性和为大量吸附地点在坚定的 Cu nanowires 的表面上吸附的一个单个氧原子的电子......
应用S.Yu.Davydov提出的石墨烯态密度模型,求出吸附在石墨烯上的碱金属原子的有效电荷数,研究了吸附原子的电子能级、能级移动量、......
本文用原子集团模型和电荷自洽的EHT方法研究了Ⅶ族元素在Si(111)和Ge(111)表面上的化学吸附。利用能量极小的原则确定了各元素的......
本文利用平均场近似模型,推导了描述热平衡时金属表面吸附层结构相变的方程,给出了金属表面原子因吸附原子的作用发生位移的几率与......
本文提出了几个模拟Li(100)—H吸附体系的原子簇模型,取极小原子基组,用ab initio方法计算了各种体系的吸附和表面扩散势能面,吸......
在薄膜生长的过程中，吸附原子的表面扩散行为是影响固体表面的形貌和晶格结构的重要因素，关于表面扩散的研究是可控制备的理论基......
采用原子尺度的模拟方法,探讨了在零偏压下扫描隧道显微镜(STM)针尖调制的金属表面岛上原子运动及岛边的层间质量输运.研究结果显......
考虑到基底原子位置高低不等和位置无序等现象引起的基底与吸附原子之间相互作用能的非均一性对三维薄膜初期生长二层以上原子的影......
一、表面科学的研究对象与研究方法表面是普遍存在的,固体与气体、固体与液体、固体与固体都存在着表面和界面。它们是一个特殊的......
利用角度修正的嵌入原子方法研究了Ｃｕ（１００），（１１０），（１１１）和（３１１）等８个面的弛豫，得到了与实验符合较好的结果．然后研究了Ｃｕ（１００）面上的自扩散机制，得到了与实验和局域密度......
采用表面嵌入势，用静态计算和分子动力学方法研究了Ａｇ，Ｐｔ，Ａｕ单个吸附原子在（１１０）表面上的自扩散现象．分别给出了跳跃机制和交换机制所对应的能量变......
利用Monte Carlo(M C)模型研究了薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与基底温度之间的关系 .模型中考虑了原子沉积、吸附原子扩......
本文用Green函数方法研究了不同类型的杂质对简立方晶体(SCC)(100)面顶位、桥位和心位化学吸附的影响。并讨论了分裂态的产生与吸......
应用格林函数方法研究氢在体心和面心立方过渡金属铬、钼、钨和镍、铂、钯的(001)表面上的化学吸附。
The chemical adsorption o......
应用格林函数方法在紧束缚近似下研究了氢在担载金属表面的吸附性质。采用自洽的Anderson-Newns吸附模型,对氢在Pt/ZnO,Cu/ZnO和Ni......
七十年代以来,大量文献报道了某些金属原子的欠电位吸附(UPD)对电催化剂特性的影响.一个典型的例子是甲酸氧化中Pt电极上Pb~(2+)......
利用Monte Carlo(MC)模拟技术研究了非均一的吸附原子与基底相互作用能在一定的生长条件下对超薄膜生长过程的影响.非均一相互作用......
采用改进的ＬＥＰＳ势，通过求解广义本征方程计算了Ｏ２＋Ｃ－Ｎｉ（１００）表面反应的势能面．在碳原子被吸附于Ｎｉ（１００）表面的情况下，氧分子以不同的方式接近表面，通过势能面的......
采用Einstein－Schrieffer化学吸附理论和复能积分技术在平均T矩阵近似（ATA）下计算了氢和氧在无序二元合金Cu－Ni表面上的化学吸附能．在我......
The behavior of the UPD of Sb(Ⅲ) at a platinum anode has beell systema tically studied using various electrochemical te......
本文在紧束缚近似下，利用格林函数方法和ＥＳ化学吸附理论研究杂质对Ｈ在反担载催化剂ＺｎＯ／Ｎｉ表面化学吸附的影响。研究结果表明，微扰Δε＜０的杂质削......
通过静态计算和分子动力学方法 ,系统地研究了吸附原子在金属fcc( 10 0 )表面的自扩散现象 ,所采用的模型势是一系列由原子嵌入方......
This Paper describes an experimental met,that that established a local Pt/Nafion interface on the Platinum Plane, so t......
利用FIM研究表面扩散和表面原子结合能的想法,最早是由E.W.M()ller在1957年首先提出的。然而,真正对吸附原子进行定量研究的第一......
本文报导了用电子束蒸发的方法,在GaAs衬底上制备Si_3N_4掩蔽膜的实验结果。在250℃～280℃下,用Cr激活的GaAs——Si_3N_4薄膜,附着......
表面普遍存在,具有独特的性质.近十几年来发展了一系列表面分析技术,使表面物理的微观研究成为可能.同时,表面物理具有广泛的技术......
本文应用CNDO/2方法研究了非金属原子在Si(111)表面单重顶位上的化学吸附,得到了束缚能、键长以及电荷分布等与吸附原子和Si(111)......
本文先用集团模型和电荷自治的EHT方法研究了Ⅶ族元素F在 Si(111)面的化学吸附,利用能量极小原理确定了化学吸附位置;在此基础上,......
本文用透射电子显微镜(TEM)研究了在低温基片上生长的正入射和斜入射蒸发钴膜的显微结构特征,并且用表面吸附原子的运动和蒸发原子......
电子碰撞吸附表面引起离子和中性粒子(指原子或分子)脱附的现象,简称为ESD。在ESD的研究中,搞清电子为什么能引起脱附是极为重要的......
利用俄歇能谱“就地”定性、定量地测量了浸渍钡钨阴极(4.56∶1.44∶2)的蒸发成分和速率。得到的主要结果是:(1)老炼初期和寿命初......
本文用运动学低能电子衍射(KLEED)及数据平均方法(CMTA)对Si(111)7×7表面结构进行了研究。经过对DAS和DACS模型的彻底优化,我们得......
本文应用格林函数方法计算氢在一组Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体上的化学吸附能（ΔＥ）和衬底向吸附原子的电荷转移（Δｑ）。半导体衬底用一维半无限ｓｐ轨......
根据对Ｓｉ（１１１）表面各种不同畴界的研究，他们发现并提出了畴界形成过程中决定这些畴界结构的三个重要因素：二聚体（ｄｉｍｅｒ）和顶戴原子（ａｄａｔｏｍ，亦称吸附原子）之间......
表面缺陷以及表面吸附原子在材料的生长和制备、表面物理化学反应等过程中起着重要的作用，它们的形成和扩散性质影响着界面生长的结......
氧化铟是属于一类被称为透明导电氧化物的极为特殊和重要的材料，经过锡参杂之后的ITO薄膜材料因为同时具有良好的导电性能和很高的......
