光生电压相关论文
本文分析了工艺参数和结构设计对a—Si:H薄膜光电二极管的光谱响应、灵敏度和暗电流等主要特性的影响,推导出元件外接负载时光生电......
本文系统报道了间接耦合光电探测器奇异输出特性中四类工作区域的瞬态响应状况，当器件工作于峰域时，不仅能加快响应速度而且产生新的......
光生电压谱方法对ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结导带偏移的研究谌达宇王建宝靳彩霞陆日方孙恒慧（复旦大学应用表面物理国家重点实验室，李政道综合物理实验室......
叙述了从现象的发现到理论分析，然后用实验进行验证，最后利用这个现象研制成注入光敏器件的全过程，从而证明注入光敏器件有牢靠的物理......
介绍了以光伏二极管阵列为核心元件组成的光伏耦合器和光伏型固体继电器的特点、电原理、使用方法和性能参数。
The characterist......
描述了单晶硅红外液晶光阀工作的基本原理、制作工艺过程及其技术性能指标的测试结果。给出了利用单晶硅红外液晶光阀产生复杂动态......
本义研究了Al(Ⅲ)、Ga(Ⅲ)、In(Ⅲ)、Si(Ⅳ) 、Ge(Ⅳ )、Sn(Ⅳ)、Bo(Ⅲ)多元素的四苯基卟啉络合物的合成与光电效应。进一步完善和......
对采用MOCVD生长的AlGaN pin结构上制备的背照日盲型3×3AlGaN串联紫外探测器进行了光电性能的研究。室温下单元探测器的峰值响应......
介绍了光纤表面粗糙度测量原理及探头定位的实验装置．叙述了如何采用单片机控制步进电机带动探头运动来确定最佳定位距离，从而实现精......
本文报道中位 -四 (邻 -硝基苯基 )四苯并卟啉合锡 ( )配合物 (简记为 Sn( ) TP(o- NO2 )TBPCl2 或 Sn( ) TBP)的光谱特征及其光敏......
合成了含取代基的酞菁铜，如十六氯酞菁铜、十六氢酞菁铜、四硝基酞菁铜及四氨基酞菁铜等．测定了这些衍生物在铂电极上和砷化镓电极上......
用 Cds 光敏电阻探测光讯号的线路图如图一。R 为 Cds 光敏电阻的暗电阻,R_L 为负载电阻,E 是偏压。R.H.Harada 用此线路推导了跨......
当太阳光照射到太阳电池上时,就产生"光生电压",就是"光生伏打效应"。这时如果在太阳电池两端接上负载,负载上就会有"光生电流",于......
掩埋双p-n结(BDJ:Buried Double P-n Junction)波长探测器的工作原理是根据不同波长的入射光在硅中的吸收长度不相同,在上下两个p-......
红外探测器是一种敏感辐射的传感器,它利用自然界某些材料在受到辐射照射之后电学性质发生变化的特性,把辐射信号转换成电信号.通......
本文综述了太阳能传感器的许多重要应用和测试控制技术以及特种太阳能传感器,包括大面积PV-EC窗、液晶光开关系统中的光驱动液晶元......
该论文系统分析了EIS结构的物理模型及其频率特性,得出EIS结构频率特性为带通特性的结论.分析EIS结构工作原理,从器件表面特性出发......
AlxGa1-xN是一种直接禁带的三元合金半导体材料，随着Al组分x的变化，其禁带宽度在3.4～6.2eV之间连续可调。AlGaN紫外器件具有高击穿电......
采用物理喷束淀积技术,制备了聚乙烯咔唑(PVK)与富勒烯C60的组合薄膜系列,通过测量这些组合膜和纯膜的稳态和瞬态光生电压,研究了......
针对CMOS光电二极管型有源像素采集单元中存在的拖影问题,从像素采集单元的工作原理入手,利用光电二极管的等效电路模型,对像素采......
针对栅压对内调制光电探测器耦合区的影响，以及横向发生的抽取效应对受光结的影响，从描述探测器的泊松方程、电流方程和连续性方程出......
应用偏靶射频磁控溅射方法在SrTiO3（001）单晶衬底上制备了三重价态（Mn3＋,Mn4＋,Mn5＋）锰氧化物薄膜La1-x-yCaxKyMnO3.这种薄膜具有钙钛矿结......
通过观测Si／Al肖特基势垒受光照时产生的光生电压与光波偏振方向和晶向的变化关系，发现了光生电压的各向异性规律，即光敏面不同点处光......
为提高马赫-曾德干涉光纤传感技术应用于城市中低压地下电缆防外力破坏预警领域的工作效率,需理清干涉电压信号与其振动受力之间关......
首次报道硅／多孔硅异质结光生电压谱，发现多孔硅的激发能有不连续性，表明多孔硅量子点由一层层硅硅原子有序排列而构成，其尺寸分布是不......
【正】 当光照射在具有P-N结的硅片上时,由于P-N结很浅,大部分光都被硅片基体吸收(图5)。如果硅材料晶体结构完整,光生载流子(少数......
<正>近年来硅光电器件在各种仪器仪表上的应用日益增加,为了进一步研究硅光电管的光电转换特性,我们对硅光电二极管和硅光电三极管......
在理论分析的基础上提出了用Ｃ－Ｖ法测量光伏二极管的开路电压Ｖｏｃ的新方法，通过该器件在有光照时的Ｃ－Ｖ曲线与无光照时的Ｃ－Ｖ曲线的比较分析，发现了该......
