InGaNGaN相关论文
采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法在蓝宝石衬底上生长的In GaN/GaN多量子阱（MQW）结构中存在大量的深能级,电子空穴在多量子阱中......
GaN基发光二极管（LED）由于节能环保已被广泛应用在了照明和显示领域,但薄膜结构的商用LED外延材料存在发射波长单一、位错密度高、极......
Temperature-dependent and driving current-dependent electroluminescence spectra of two different InGaN/GaN mul-tiple qua......
我们在 c 面蓝宝石上用常压 MOCVD 法得到了高质量 InGaN 外延层。研究表明,In 分凝系数不仅与生长温度有关,而且与 InGaN 薄膜的......
利用金属有机物化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN量子阱结构.研究了引入n型InGaN薄层或InGaN/GaN超晶格层的量子阱......
利用金属有机物化学气相沉积系统在蓝宝石衬底上通过有源层的变温生长,得到In组分渐变的量子阱结构,从而获得具有三角形能带结构的......
通过求解修正的基于k.p方法的有效质量哈密顿方程并与泊松方程进行自洽,得到在极化效应影响下的不同阱宽和垒厚的InGaN/GaN多量子......
设计了InGaN/GaN超晶格垒层替代p-GaN和n-GaN附近传统GaN垒层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)发光二极管(LEDs)结构。通过数值方法模拟出......
利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底(0001)面生长了InGaN/GaN多量子阱结构,并测量了其荧光(PL)光谱的峰位能量和发光效率......
对InGaN量子阱LED的内量子效率进行了优化研究。分别对发光光谱、量子阱中的载流子浓度、能带分布、静电场和内量子效应进行了理论......
随着氮(N)面Ga N材料生长技术的发展,基于N面Ga N衬底的高亮度发光二极管(LED)的研究具有重要的科学意义。研究了具有高发光功率的......
针对InGaN/GaN多量子阱LED,分析了占据能态高于势垒的载流子和低于势垒的载流子参与的电流输运机制,从而推导出对应能态电流输运机......
