等离子体化学气相沉积相关论文
通过表面处理来改善金属部件摩擦面的耐磨耐腐蚀物理性能,是具有重大技术需求的课题;将辉光放电等离子体技术与非金属陶瓷合金结合......
石墨烯因其独特的二维蜂窝状结构及其优异的性能,被称为新材料之王,因此制备石墨烯的方法也是越来越多,主要包括机械剥离法,外延生......
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近年来,随着我国汽车工业的迅猛发展,能源消耗与二氧化碳排放问题日趋严峻,因此,发展高效、节能和低排放汽车以及工程机械迫在眉睫......
本文分别在氢气、氮气和氧气氛下对氮化硅薄膜进行不同时间快速热处理,测其退火后的厚度、折射率、红外吸收光谱的变化.结果发现退......
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本文介绍了一种新型多模光纤,是一种在850nm波长优化的多模光纤.该光纤可使用于850nm波长窗口.该光纤的一个显著特点在于:其在850n......
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用等离子体化学气相沉积(PECVD)法通过改变硅烷与氨气的流量比沉积氮化硅薄膜,用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法(QSSPCD)、X射线......
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本文利用等离子体化学气相沉积的方法(PECVD)在ZnS基底上制备了组织成分可调(x值可调)的Ge1-xCx过渡层,其折射率随组分x的不同在2～4......
采用等离子体化学气相沉积(PCVD)方法在Si(100)基体上沉积DLC(diamond-likecarbon)类金刚石薄膜，利用台阶仪测量了薄膜的厚度和......
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单一的塑料薄膜或者塑料容器由于自身的透气性难以满足一些气体敏感产品的包装.利用等离子体化学气相沉积(PECVD)的方法在聚酯(PET......
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利用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）在厚度为20μm的PLA基材上制备了阻隔性能优良的高阻隔SiOx层，无色透明且与基材附着牢固。用F......
微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)是制备高纯度金刚石薄膜的一种重要手段。对MPCVD装置的仿真与优化，可节约其设计和改进的时间。结......
在爆炸法得到的钠米金刚石微粉上,用无水酒精与丙酮溶液混合,得到需要电镀的电镀溶液然后在铜片上电镀处理后利用微波等离子体化学......
用等离子体化学气相沉积(PCVD)制备a-Si:H薄膜,通过固相晶化法(SPC)获得多晶硅薄膜(退火温度500-650℃).利用X射线衍射分析多晶硅......
利用改进完善的石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积（MWPCVD）装置考察了基片预处理、沉积气体比例、沉积气压、基片位置等工艺以MWPC......
电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR Plasma CVD）法淀积介质膜技术是实现性能优良的光电子器件光学膜和电学膜的重要技术手段之一......
将热丝(钨丝)作为催化器平行地引入等离子体增强化学气相沉积,建立了热丝助PECVD沉积系统.在固定沉积气压、氢稀释度和射频功率和3......
会议
该文报道了利用光发射谱OES和Langmuir探针对热阴极直流放电等离子体化学气相沉积（PCVD）金刚石薄膜的等离子体条件进行原位研究的部......
着重研究了采用热丝辅助等离子体化学气相沉积+负偏压技术,在CN薄膜制备过程中各种工艺参数(射频功率、衬底负偏压和衬底温度等)对......
本文利用感应耦合成式等离子体化学气相沉积(PECVD)在Si(100)衬底上制备BN薄膜.反应气体为硼烷(BH)和氮气(N),控制一定的分压比和......
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在等离子体辅助化学气相沉积金刚石的设备中,进行了金刚石膜的沉积实验.实验室灯丝采用的是钨丝,可以根据不同的实验要求来选择不......
超级电容器(尤其是双电层电容器)具有功率密度高、充放电速率快、循环寿命达万次以上等优点,在诸多领域得到了广泛的应用。目前虽......
聚酯(PET)瓶具有质量轻、透明、强度高和可回收等特点,在世界饮料包装市场上已经占有一席之地。然而,PET瓶在用于包装啤酒等酒类产......
由于其独特的结构和电子性质,如高迁移率、常温量子霍尔效应等,石墨烯吸引了许多理论和实验研究者的关注。相对于硅高数万倍的载流......
学位
微晶硅锗与目前广泛研究的微晶硅材料相比具有带隙更窄，吸收系数更高等优点，作为叠层电池的底电池有源层材料将更有利于吸收太阳光中......
随着集成电路特征尺寸的减小，铜互连线上的电阻及信号延迟增大，抗电迁移能力减弱，使得电路可靠性降低。由于碳纳米管不会发生电迁移且......
该文根据磁场对等离子体的作用原理,利用磁镜场使这些问题有了一定程度改善,并通过MgO等掺杂,得到了对NO具有较好气敏性能的SnO薄......
热阴极辉光放电等离子体化学气相沉积是我们建立的快速沉积高品质金刚石膜的新方法.该文从阴极、辉光放电等离子体等角度研究热阴......
氮化硼(BN)是一种性能优异，极具发展潜力和广泛应用前景的新型宽带半导体材料。其晶体主要有两种结构形式：sp~2杂化结构的六角氮化硼......
类金刚石(DLC)膜是含有sp3杂化态的亚稳态非晶碳膜,是具有极高的硬度、化学稳定性和光学透明性的半导体材料。这篇综述介绍了用等......
期刊
利用PECVD方法在硅片上制备了非晶硅薄膜,通过正交实验得出影响薄膜沉积速率和折射率的主要参数为气体流量和射频功率,分别研究了......
期刊
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
一、主要技术内容rn该成果利用等离子体的激发作用把传统的化学气相沉积(CVD)温度由1000℃左右降到550℃左右.这就使等离子体化学......
采用加热的调谐单探针技术,研究了射频辉光放电Ar等离子体空间电子能量分布函数,电子平均能量和电子密度,并系统分析了等离子体增......
为了研究不同光纤预制棒的生产工艺沉积包层、纤芯工艺流程以及反应原理对大芯径多模石英光纤传输损耗和激光损伤阈值等性能的影响......
在电弧法制备的过程中添加氮气或Ｂ２Ｏ３ 粉末，制备了氮、硼替位式掺杂Ｃ６０ 。硼掺杂和氮掺杂Ｃ６０ 均显示明显的半导体导电特性，且室温电导率比未掺......
为了研究不同光纤预制棒的生产工艺沉积包层、纤芯工艺流程以及反应原理对大芯径多模石英光纤传输损耗和激光损伤阈值等性能的影响......
利用13.56 MHz的射频等离子体化学气相沉积设备(RF-PECVD)在不同沉积温度(50~400℃)下制备了一系列氢化硅氧(SiO_(x)∶H)薄膜材料,......
为制备高质量的纳米晶硅薄膜,采用等离子体化学气相沉积方法,以硅烷、高纯氢为源气体,氢稀释率保持在98%,衬底温度200℃,反应气压1......
采用射频辉光放电等离子体化学气相沉积(RF-PCVD)法在聚碳酸酯(PC)表面沉积类金刚石(DLC)薄膜.研究了功率、气体浓度和沉积时间等......
期刊
研究了在热阴极辉光放电等离子体化学气相沉积金刚石膜过程中,热阴极辉光放电特性与金刚石膜沉积工艺的关系.结果表明,适当的阴极......
利用红外光谱研究了等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方程淀积的ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜。分析了气体流量比（Ｒ）、衬底温度（Ｔｓ）以及射频功率（Ｐｒｆ）的变化对ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜中ＳｉＨ、ＮＨ和ＮＨ２基团的吸收......
采用等离子体增强型化学气相沉积（PECVD）的方式,以硅烷（SiH4）、氢气（H2）、磷烷（PH3）以及二氧化碳（CO2）等气体为原料,制备具有宽带隙、高电导......
本文分析了原直流等离子体化学气相沉积设备在镀膜中存在的问题，提出了相应的改进措施和方法，通过一定量的工艺调试及分析检测，发现提......
西安交通大学教授、中国机械工程学会表面工程分会主任委员徐可为等研究的复杂型腔工模具表面硬质薄膜材料制备成套设备及关键工艺......
建立了快速沉积高品质金刚石膜的热阴极辉光放电等离子体化学气相沉积新方法．相对于常规冷阴极辉光放电而言，热阴极辉光放电是一种新......
