电子发射特性相关论文
实现热阴极表面微区电子情况的实时观察和分析是阴极工作者期盼已久的愿望.本文介绍的深紫外/紫外激光光发射电子显微镜系统(DUV/U......
带电的液体或气体以及由带电的液滴与空气的混合物所构成气液两相流,带电的固体颗粒与气体混合所形成的气固两相流都可以视为电流......
本文主要介绍了表面传导电子发射显示器件(SED)在两种测试环境下的电子发射特性和发光亮度测试工艺和测试结果,并对实验现象进行系......
采用粉末注射成形工艺开发了储备式钡钨阴极和钍钨-钨复合电极，实现了复杂形状钨电极的近净成形和高效生产，所开发的钡钨阴极微......
SEM)形貌分析,并在动态真空系统中测试阴极的电子发射特性。试验结果表明浸渍阴极经过表面离子刻蚀和镀覆锇膜后,阴极发射性能得到......
基于对爆炸发射点火机制的分析,文章提出了介质增强场致爆炸发射的设想,研制并实验研究了金属─介质复合阴极的电子发射特性;同时,......
在爆炸法得到的钠米金刚石微粉上,用无水酒精与丙酮溶液混合,得到需要电镀的电镀溶液然后在铜片上电镀处理后利用微波等离子体化学......
本文实验研究了铁电材料PZT、PLZT的电子发射特性,获得了远大于C-L定律限制的高达800A/cm2的电流密度.实验发现电子发射时产生的大......
为了应用于场发射显示器,采用电化学阳极氧化,快速热氧化和磁控溅射等方法制备出了金属/多孔硅/硅基底/金属结构的多孔硅电子发射......
针对基于无孔Al_2O_3绝缘层的金属-绝缘层-金属(MIM)电子源存在显著负阻效应和无法在气氛下稳定发射电子的特点,提出并制备了一种A......
在绝缘体和半导体的第二等的电子排放的过程和特征被学习，并且为最大的收益的公式( <sub >在 W <sub 的 m </sub>)> p0m </sub>??......
本文用离子束技术，使铜网的二次电子发射系数降低，场发射性能得到改善，钼网的“栅发射”得到抑制，测量并讨论了逸出功变化对电子发射性......
在不同的温度、压力、电压条件下 ,对所开发的阴极材料进行了电发射特性的试验研究。研究结果表明 ,温度、压力、电压对发射电流均......
研究了硅场发射器中电子发射特性的退经和它的机理。利用化学－机械－磨光工序，制造出三级型硅发射器。存在一个临界偏置时间ｔｃ，在此时刻，阴......
采用固态烧结工艺制备了位于反铁电／铁电相界附近的PbLa（Zr，Sn，Ti）O3（PLZST）反铁电陶瓷样品．通过测定样品在快速单脉冲电压激励下的电子发......
专利申请号：CN200680001501．5公开号：CN101090992申请日：2006-09—11公开日：2007—12—19申请人：日本松下电器产业株式会社一种保护膜的......
以聚碳硅烷为原料,通过1 200 ℃高温裂解工艺制备了碳化硅纳米线,并采用碳化硅纳米线作为高功率微波源用阴极材料,进行了电子发射......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
表面传导电子发射显示器(Surface-conduction Electron-emitter Display,简称SED)较传统的平板显示器具有很多的优势。它是属于场......
真空场发射三极管（VFET）是一种真空微电子器件,采用纳米缝隙真空沟道实现电子的传输,兼具真空管和半导体晶体管的优点。本文介绍了国......
