不同衬底上氮化硼薄膜制备与场发射性质研究

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氮化硼(BN)是一种性能优异,极具发展潜力和广泛应用前景的新型宽带半导体材料。其晶体主要有两种结构形式:sp~2杂化结构的六角氮化硼(h-BN)和sp~3杂化结构的立方氮化硼(c-BN)。六角氮化硼(h-BN)与石墨碳类似,具有良好的润滑性、导热性及热稳定性,并且是一种非常好的电绝缘材料。h-BN非常适合应用于抗辐射和超高压高温技术领域。有报道表明h-BN还具有高声波传输速率和优良的透光性是作为表面声波(SAW)器件基体的合适材料。立方氮化硼具有非常高的硬度(仅次于金刚石)、很小的摩擦系数、良好的热
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