微晶硅锗与目前广泛研究的微晶硅材料相比具有带隙更窄，吸收系数更高等优点，作为叠层电池的底电池有源层材料将更有利于吸收太阳光中的长波部分，因此正在成为国际上研究的热点。 本论文在研究了反应热化学气相沉积(RTCVD)法的基础上，首次提出等离子辅助反应热化学气相沉积(PA-RTCVD)技术，与单纯的反应热化学气相沉积法相比，具有可以和传统的PECVD法制备非晶硅和微晶硅技术兼容的优点。采用Si<,2>H<,6>和GeF<,4>作为反应气体制备微晶硅锗薄膜，分别研究了反应过程中衬底温度、氢稀释率、GeF<,4>/Si<,2>H<,6>流量比、等离子功率和压强等参数对材料结构及光电特性的影响。我们发现：在实验研究的范围内，随着衬底温度的升高材料光电特性变差；材料晶化率随着氢稀释率的增大而提高；在反应中加入一定量的GeF<,4>有利于制备出高质量的微晶硅锗。通过优化反应条件制备出了晶化率大约60％、光敏性接近10<3>的器件质量级微晶硅锗材料。此外，论文中还对GeF<,4>与Si<,2>H<,6>的热反应对沉积过程的影响进行了讨论。在材料研究的基础上，我们制备了单结p-i-n型微晶硅锗太阳能电池。在没有界面处理和背反射的情况下首次获得了4.1％的初始效率。