锗晶体相关论文
2005年12月30日,德国的CGS公司和Photonic Sense公司宣布他们已绎成功生长出了世界上最大直径的锗晶体棒。Photonic Sense公司负责......
最近,美国劳伦斯利物摩尔国际实验室和劳伦斯伯克利国际实验室的研究人员发明了一种能探测核弹的新装置,这两家实验室都是美国极为......
德国宣布研制成锗晶体管,电子在其中的运动速度是在硅晶体管中的2~3倍。这种晶体管不仅在速度方面创造了新的世界纪录,还可能成为未......
据国外媒体报道,MIT的科学家已经研发出了一种新型晶体管,新的晶体管通过材料原子结构中的洞孔来让电流通过,速度是当前晶体管的4......
锗在60年代中期以后,由于受到硅的竞争,在半导体领域内一直处于需求下降的地位,长期生产不振。但近年由于锗在半导体以外新的应用......
1.前言: 自从1948年发明锗晶体管以来,半导体材料及其相应半导体器件,以其奇妙的功能迅速推动着科学技术的发展,它不仅使固体物理......
前言自一九四八年世界上第一只锗晶体管问世,锗一直是重要的半导体材料。六十年代随着硅工业的兴起,锗在半导体的主导地位被硅取......
工农业生产工艺过程中,温度常常是最重要的被监测参数之一。例如农业上经常需要一种便携式万用测温计来测量土壤、饲料、仓库和养......
对不同掺Sb,Cu杂质浓度锗晶体2.5~25μm红外波段透射谱线测试结果进行了分析研究。目的是根据半导体物理学理论及实验结果,判断掺Sb、Cu杂质对锗晶体......
在制备锗点接型晶体二极管时,锗片先以稳态过氧化氢作化学腐蚀,然后用20%KOH 电解液进行电解,则电学特性和稳定性有所改进。如果在......
1947年12月16日一如往常,贝尔实验室晶体管小组又开始了一次实验。突然,小组成员Brattain观察到,电流流经连结在两根导线间的锗晶......
锗是一种化学元素,符号为Ge,粉末状的锗呈暗蓝色,结晶状的锗为银白色.锗,最早于1885年德国化学家文克列尔用光谱分析法发现的,直到......
文中概述晶体管中各种热问题,特别是深入到寿命与结温度关系、内热阻的测量与计算以及散热片等问题。 晶体管中热问题往往比在电......
硅晶体管的温度应用范围比锗晶体管要宽广得多。因此硅晶体管参数的温度变化的研究对其更广的温度应用范围及大功率运用具有很大......
本文介绍锗合金晶体管的发射极In-Ga合金球中,Ga的含量越过0.5%,提 高到0.8%,使锗晶体管的优品率获得大幅度提高。并着重讨论晶内偏析现......
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本图是一种晶体管延迟多谐振荡器电路,它的特点:延迟时间长(最长半小时),元件少,并可用容量小的电容器作为定时器件.电路原理如下......
锗晶体管的各种参数性能,严重地受到半导体表面状态的影响,而环境气氛的变化能改变半导体表面的性质,它是引起锗器件性能不稳定的......
晶体管和场效应管以直接起着放大和振荡功能的有源器件广泛得到应用。 最初的晶体管由锗器件开始。锗晶体管经历了合金型、微合金......
硅单晶直径进一步增大愈来愈困难多年来,硅单晶直径的尺寸从2英寸,逐步扩大到3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸,目前12英寸的产品的商品化即......
【美国《核新闻》2003年8月刊报道】 美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室(LLNL)的研究人员2003年6月16日宣布,他们开发出一种手提辐射......
IEC 61435:2013(E)适用于γ射线和X射线的辐射探测器用高纯度锗晶体。这种锗是单晶,其净浓度为电活性杂质中心点小于10~(11)/cm~3......
飞利浦电子集团推出了全新的半导体处理技术—QUBiC4‘G’。该技术完美结合了超高速硅锗技术、无源元器件集成及QUBiC4BiCMOS处理技术的衬底隔离和密集......
WH通用前级增音机是和WH2×275或其它扩大机配套使用的有线广播设备,电路全部采用锗晶体管。在实际使用中,发现其失真度、频响、......
利用第一性原理软件CASTEP系统研究了锑掺杂锗晶体中锑原子与空位的相互作用,对单空位、双空位可能出现的结构模型进行了计算,通过......
求异思维,亦称逆向思维,意指从常规思路的反面探求解决问题的方法。有这样一个故事,说的是一辆满载货物的卡车要从一座桥下通过,但......
对不同掺Sb,Cu杂质浓度锗晶体2.5~25μm红外波段透射谱线测试结果进行了分析研究。目的是根据半导体物理学理论及实验结果,判断掺Sb、Cu杂质对锗晶体......
采用平衡态分子动力学方法研究了立方锗的热导率.介绍了平衡态与非平衡态方法的区别.应用Tersoff势描述锗原子之间的相互作用,通过......
以色列政府成立了航天局,一所著名的大学在筹建航天研究中心。航天计划已从研究黄蜂定向的航天实验开始,可能在十年内依靠本国的力......
研究N型锗晶体放电加工中体现的单向导通性、表面电化学现象以揭示其特殊放电加工特征。试验发现N型锗晶体放电加工无法持续,其主......
【正】据德国莱布尼茨固态与材料研究所网站报道,近日,该所参与的一个德法联合研究小组通过在硅材料中嵌入锗纳米晶体,有效地阻止......
据海外媒体报道,近日,德法科学家通过在硅材料中嵌入锗纳米晶体,有效地阻止了热传导,使其可用于温差发电,开创了硅材料新的应用领域。该......
纸面上的圆珠笔迹,因其颜色深、纸面反射率低等诸多原因,在FTIR显微镜上用反射方式直接对其检测效果很差。在FTIR显微镜上加用ATR物......
为了在锗晶体光坯上制作出满足要求的码盘图案,分别采用正性光刻胶和负性光刻胶,先镀膜后照相和先照相后镀膜的工艺路线进行工艺实......
德国研究机构Forschungszentrum Rossendorf的科学家表示,已经成功制造出超导锗晶体(superconducting germanium crystaIs),并因此向催......
在利用电火花线切割(WEDM)加工锗晶体时,会出现回路放电电流逐渐减少,并伴随着进电材料与锗晶体间有钝化物的生成,最终导致放电切割......
<正> 一、引言锗晶体作为半导体材料在电子学领域的应用已在不断下降,但它在核辐射探测器、红外光学及光导纤维等领域的应用却在稳......
本文根据传热学与晶体生长条件设计了用于锗晶体生长的石墨坩埚,并成功地用双悬浮石墨坩埚法改进了锗单晶的生长工艺,解决了坩埚在......
介绍了90年代以来,光学有锗晶体生长方法的新进展。着重介绍了VGF法制备锗单晶、铸造法制备锗多晶的工艺和装置。简单比较了不同方法制备......