电阻开关相关论文
利用磁控溅射技术沉积了Ta/BaTiO3/Al2O3/ITO多层薄膜,观察到该结构中的电阻开关现象受到限制电流的调控.在限制电流大小为10–2 A......
当前,随着信息和物联网等领域的快速发展,对外界光、温度、热、力等环境信息的探测提出了更高要求。然而,目前对环境信息的探测主......
铁电薄膜具有良好的铁电性、压电性、热释电性、电光及非线性光学等特性,可广泛应用于微电子机械系统、光电子学和集成光学等领域......
侧向光伏效应和电阻开关效应是纳米半导体材料中非常有应用前景的两种效应。侧向光伏效应能够精密地测量微小位移,所以应用于高能......
由于器件的界面性质影响其电阻开关行为，而电形成过程的偏压极性、限制电流大小等参数设置可以改变界面性质，因此本工作中我们采用脉......
采用溶胶凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了BiFe0.9Mn0.1O3(BFMO)多晶薄膜,样品表现出典型的单极电阻开关特性,同时具有较好的保......
会议
钛酸锶基电子陶瓷是以SrTiO3 为基体的系列A 位或B 为掺杂的陶瓷材料。由于它们的介电损耗小、热稳定性好，一直以来得到了广泛的亲......
采用脉冲激光沉积技术在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备出多晶La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)薄膜,对其电脉冲致非挥发可逆电阻开关特性进......
近年来,阻变存储器由于其结构简单、操作速度快、功耗低、读写速度快等优点而受到人们的广泛关注,成为下一代非易失性存储器的潜在......
二十一世纪是信息化的时代,近年来人们对数据存储性能和数据处理能力的需求不断提高,这促使了半导体集成工艺和技术的持续改进和创......
尖晶石铁氧体MFe204(M=Fe、Co、Ni、Mn等)具有丰富多样的电学和磁学性质以及高居里温度等优点,成为磁(自旋)电子学的研究热点。对......
随着微电子技术的发展及闪存面临小型化的极限,阻变存储器因同时具备高速和高密度存储的特点,成为下一代存储器有力竞争者之一。但......
随着科技的进步和生活节奏的加快,人们对芯片的处理速度、功耗等性能的要求也越来越高。尤其是当今盛行的非易失性存储器即将达到......
尽管在1971年蔡少棠就已经提出了忆阻器的概念，但国外对于忆阻器研究的热潮始于2008年惠普公司基于TiO2材料的报道。我国学术界于20......
随着科学技术的进步，半导体制造工艺水平的提高，信息产业得到了快速发展。信息存储作为信息技术的一部分也得到了空前进步，存储器正朝......
钛酸锶（SrTiO3）是一种应用广泛的功能材料，其具有典型的钙钛矿结构，不溶于水，溶于酸，熔点为2082℃。钛酸锶具有介电常数高、介电损耗低、......
新型存储行业的发展不仅要求高密度、低能耗、快速的读写能力以及高的稳定性，也追求器件的小型化以及多重存储信号和功能在同一器件......
随着社会的发展,人们接触到的信息越来越多,需要储存的信息当然也随之增多。而信息的储存离不开储存器,目前我们使用的主流的储存......
在今数字化、信息化、智能化已经广泛普及,存储器也已经非常广泛地应用于我们生产生活的各方各面,并且随着时代和技术的不断向前发......
随着传统存储器件的尺寸越来越达到其缩放极限,下一代非挥发性存储器的开发研制受到人们极大地关注。电阻随机存取存储器由于其具......
存储器件是今天信息产业的前提。随着器件尺寸的越来越小,低于100nm,电子器件的微型化是半导体行业面临的挑战。为了克服基于电荷......
近年来,多孔阳极氧化钛纳米管成为光催化材料和太阳能电池的研究热点。采用阳极氧化法制备TiO2纳米管,外貌尺寸可控且比表面积大,......
在本论文中,我们研究了肖特基势垒对ZnO纳米线输运特性的控制作用,通过对势垒的调控发展了紫外光检测器、电阻式存储器等高性能原......
伴随着科技的腾飞,人们对存储器性能的需求标准也越来越高,比如,高密度、高速度、非挥发性、低功耗等等。闪存占据了非易失存储器......
摘 要】阐述了DWL48捣固装置中出现的典型故障，分析了DWL-48与08-32和09-32捣固系统的区别，提出了在铁路现场维修中应急故障的排除和......
采用脉冲激光沉积技术在SnO2:F(FTO)衬底上制备了La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)薄膜。室温下利用直流电压对Au/LSMO/FTO三明治结构的器件......
采用射频磁控溅射技术在ITO衬底上制备了BiFeO3/CoFeB双层膜。在Ag/BiFeO3/CoFeB/ITO结构中观察到双极性电阻开关效应。样品的电阻......
比较小巧的体积,并且可搭配转接器连接USB接口,不管是台式电脑或笔记本电脑都可以使用。虽然价格较高,但性能也相对提高,是个人工......
室温下采用紫外固化的方法取代溶胶-凝胶方法中的高温退火制备了氧化锌薄膜，XRD分析结果表明薄膜为非晶的，XPS分析结果表明薄膜的主......
传统高温固相法制备的锆钛酸锶钡陶瓷为钙态矿结构,钡离子的掺杂会轻微影响样品的结构。从X-Ray衍射图谱可以看出,钡离子掺杂量的......
以Pt/Ti/SiO2/Si为衬底,制备了具有电阻转变特性的Ti/La0.7Ca0.3MnO3（LCMO）/Pt结构器件.X射线衍射分析表明LCMO薄膜呈纳米晶或非晶态......
通过溶胶凝胶的方法,在FTO衬底上制备得到SnO2薄膜,并对SnO2薄膜的晶体结构以及荧光光谱(PL)进行了研究。XRD结果显示SnO2薄膜为多......
在众多新型非挥发存储器中,电阻式存储器具有结构简单,存储密度高,读写速度快,数据保持时间长,制作方法与传统CMOS工艺兼容性好等......
采用直流磁控溅射法在重掺硅（n＋-Si）上制备TiO2薄膜,通过电子束蒸发镀膜仪在TiO2薄膜上沉积Au上电极,获得Au/TiO2/n-＋-Si结构的阻变存......
采用脉冲激光沉积技术在Pt／Ti／SiO2／Si（100）衬底上制备出多晶La0.67Sr0.33MnO3（LSMO）薄膜，对其电脉冲致非挥发可逆电阻开关特性进行研究．结......
采用sol-gel法制作了28nm厚的SrTiO3薄膜和Au／SrTiO3／LaNiO3／Si（100）三明治结构的器件，并研究其物理性能。结果显示：室温下，用直流电压可以......
采用脉冲激光沉积法在SnO2：F（FTO）衬底上制备了单一c轴取向生长的ZnO和ZnO：Cu薄膜,并对具有Au/ZnO/FTO和Au/ZnO：Cu/FTO三明治结构的器件......
在一些金属／绝缘体／金属的三明治结构组成的电阻式随机存储器(RRAM)中,人们只需通过不同电场脉冲就能控制器件的非挥发性状态(高阻态......
随着半导体工艺不断向前推进,尤其是进入22nm工艺节点之后,浮栅、沟道和介电层等比例缩小带来物理和技术上的极限,将使得硅基flash......
ZnO低维纳米材料是一种重要的功能材料,有许多优良的性能,在化工、电子、微纳器件等领域有广泛的用途。其中,一维ZnO纳米线阵列是......
随着器件尺寸低于100m,半导体工业就面临技术和基本理论的双重挑战,电子器件的微型化发展成为中心议题载入了国际半导体技术蓝图中......
采用直流磁控溅射法在n＋-Si上制备了TiO2薄膜,采用电子束蒸发镀膜仪在TiO2薄膜上沉积Au电极,获得了Au/TiO2/n＋-Si结构的器件.研究了......
采用磁控溅射法以高纯石墨为靶材在单晶硅(100)上制备了石墨薄膜,通过SEM扫描表征其表面形貌以及截面厚度,利用XRD对石墨薄膜的晶......
21世纪信息科技的发展进步,使得市场对存储器性能的要求越来越高。目前,闪存是市场上主流的存储技术,但是它面临寿命短、成本高、......
随着科学技术的进步和人类生活的需求以及便携式电子设备的快速普及,人们对器件小型化和高性能（包括高速度、低能耗、高稳定性等）的......
TinO2n-1材料是一类还原态钛氧化物,其中4≤n≤10。这类材料具有优异的导电性和良好的化学稳定性,可广泛应用于电化学领域。静电纺......
