位错分布相关论文
本文叙述了用B-S方法生长CaF晶体时,几种常见的负离子杂质对CaF晶体的品质的影响,主要分析了O、S两种负离子在CaF晶体中的存在形式......
采用国际通用的方法,测定了不同类型的用高压LEC法生长的Φ50mmInP单晶样品的整片位错分布,直观显示位错密度在晶片上的分布情况,......
超声波振动辅助金属塑性成形技术是在成形过程中施加超声振动,利用“布莱哈效应”对金属进行塑性加工。该方法具有效率高、低能耗......
对80 mm厚S355钢板进行应变时效冲击试验,从微观组织上对材料高应变时效敏感系数的原因进行了分析。结果表明:应变时效前后材料的......
本文研究了氧、碳的含量及分布状态对室温形变铌中的位错密度、分布及组态的影响。采用电子束区熔高纯铌棒为原料制备几种不同氧含......
用化学侵蚀法对硅单晶中的退火多边化进行了实验研究。研究了多边化过程及其与退火温度的关系。根据实验数据求出硅中位错攀移激活......
本文从位错源开动条件和ν=c_0(τ/τ_0))~m的关系式出发,利用硅单晶中孤立位错运动的实验数据,计算模拟了在恒定应力作用下有源位......
鲜水河断裂带在印度板块与欧亚板块顶撞作用的驱使下,表现了强烈的左旋走滑运动及频繁的强震活动,是我国西南地区重要的强震发动带......
2101Al-Mg合金是我国根据船舶工业需要创制的一种新型合金,该合金具有中等强度、良好的耐蚀性和优良的焊接性。性能试验和电镜观......
一、前言应用透射电子显微镜(TEM)技术观察金属薄膜的断裂过程,最早的可能是Wilsdorf的金属Al薄膜的工作.以后,Forsyth和Wilson,K......
本文研究了45号钢的微观结构和氢脆之间的关系;观察分析了氢对位错运动、分布和结构的影响。本文认为,影响45号钢氢脆敏感性的本质......
建立了金属中裂纹形核的一个理论模型。通过理论分析，获得金属中裂纹的形核准则，定义了与材料晶粒和脆性沉淀物尺寸有关的材料影响参......
测量了Ａｌ－０．０２１ｗｔ－％Ｃｕ在拉压过程中的超声衰减的变化，结果与其他研究者的不同．并用位错的弓出、缩回与滑移予以解释．
The change of ultrasonic att......
研究了［１１０］和［１００］取向高纯铝单晶在６×１０－４拉压疲劳应变振幅条件下的应力σｍ和内耗Ｑ－１的变化，对不同阶段的位错组态作了详细的透射电子显微镜观察，并利......
本文对不同电子束扫描频率的 ＴＣ４ 钛合金焊缝金属微观结构进行了透射电镜观察。研究结果表明，电子束扫描频率对钛合金焊缝金属微观结构......
一、引言 某些作者已在集成电路工艺检测中应用了红外电视显微镜。他们用这种仪器透射式工作来观察氧化层针孔和杂质横向扩散宽度......
采用分层介质模型,联合陆地GPS资料和海底GPS/Acoustic资料反演了Mw9.0日本Tokohu大地震的静态位错模型.反演中,根据先验信息引入......
本文介绍了用X射线双品形貌术研究MBE生长的GaAs/AlGaAs量子阱材料中的生长缺陷、位错及其对发光性能的影响。同时研究了低温下MBE......
采用光学金相、硬度测量结合透射电镜观察,研究了经过弯曲或扭转变形的含铌微合金钢在等温受热时的组织稳定性问题.研究发现:弯曲......
唐钢FTSR生产线铁素体区生产IF钢综合性能偏低,研究热处理后的IF钢力学性能、显微组织、位错分布,优化生产线工艺,提高IF钢的综合......
近年来,X光衍射线形分析方法有了新的进展,Wilkens及王煜明等分别提出了新的理论处理方法,并发表了实验结果。实践证明X光衍射线......
该文采用从实际焊接接头脆化区和高温拉伸试样上制取的薄膜，在ＪＥＭ－２００ＣＸ透射电子显微镜下观察、研究位错形态，并计算出位错宽度，探讨了热应变脆......
本论文的主要目的是通过改变提拉法生长TeO晶体过程中固液界面的形状来进一步提高晶体质量.因此,本论文中主要研究了TeO晶体生长过......
该文从理论和实验两个方面研究了金属基复合材料的超塑变形过程,主要研究内容包括：超塑变形过程中基体组织形态的变化；变形过程中晶......
传统晶格匹配的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件受衬底晶格常数的限制，可选择的外延材料的范围有限，影响了器件光电性能的提高。晶格异变缓......
随着观测资料的增加和观测精度的提高,利用大地测量资料获取地震的同震破裂分布已成为一种重要的地震研究方法.本文首先回顾地......
以研究超声波振动条件下钛箔的塑性变形特征和位错分布为目的,通过超声波辅助单向拉伸实验和微观组织分析研究不同超声波振动施加......
震后资料均显示芦山地震是一次发生在隐伏断层上的地震。虽然余震的水平位置刚好沿龙门山前山断裂分布，但根据震源机制和投影关系，地......
【正】6位错等多重宽化的线形分析6.1晶体缺陷引起的衍射效应按照晶体缺陷的应变场,点阵缺陷分为:1点缺陷的应变场,按1/r2关系衰减......
使用观察位错蚀坑密度方法研究了垂直布里奇曼法生长的Cd1-xZnxTe（CZT）单晶体位错分布规律.实验中选择（110）面几乎平行于径向的晶片,使......
通过光学显微镜对点状籽晶法生长的KDP晶体（100）面位错蚀坑的观察和分析，发现柱区的位错线走向不同于片状籽晶法生长的晶体。晶体的位......
用Ｅｖｅｒｓｏｎ腐蚀剂对ＣｄＺｎＴｅ材料的位错进行了腐蚀显示和观察，并对产生的腐蚀抗密度（ＥＰＤ）进行了统计分析，结果发现在同一样品表面不同位置上或在同一晶锭中......
通过使用激光散射扫描的方法,定性地研究非掺杂半绝缘LEC砷化镓（100）方向生产的晶体中砷沉淀在晶体径向截面分布,得到了在一种特定热......
近十几年来Ｗｉｌｋｅｎｓ利用位错分布理论对于Ｗａｒｒｅｎ－Ａｖｅｒｂａｃｈ（ＷＡ）付氏分析法中弯勾现象，嵌块尺寸及微观应变等问题提出了自己的见解。认为这些方面出现的误差是由于......
LEC法生长的轻掺铬高阻GaAs 晶体熔融KOH腐蚀坑SEM观察结果表明,轻掺Cr-GaAs晶体位错的径向分布呈“W”型。这是由于GaAs单晶生长......
KDP（KH2PO4）晶体是20世纪30-40年代发展起来的优良的电光非线性光学材料广泛应用于激光变频、电光调制和光快速开关等领域。随着KDP......
近年来，硅中氮的行为被广泛深入地研究。通常，在大规模集成电路工艺中氮气广泛地用作保护气和载气。人们知道，氮在硅中能够抑制微缺陷......
<正> 位错这一概念的提出仅仅是本世纪30年代初的事情,然而由于它成功地解释了以前所无法解决的现象,引起众多科学家的重视,从而对......
