静态随机存储器相关论文
作为新型纳米器件之一,负电容场效应晶体管（NCFET）可以提升器件性能并有效降低功耗,被认为是可用于物联网等领域的下一代超低能耗集......
宇宙空间存在多种高能粒子,这些高能粒子进入半导体器件会引发辐射效应并最终导致电子系统失效,其中总剂量效应和单粒子效应是两种......
高密度CMOS工艺SRAM对单粒子锁定极端敏感的特性使其在空间应用时必须采取相应的防护策略.对于抗辐照能力较弱的CTOS,电路级防护成......
卫星上常用的静态随机存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)器件易受到空间环境中高能粒子辐射发生单粒子翻转,从而可能导致电路......
随着机器学习、图像识别、物联网等新兴领域的发展,在处理像基于大数据的计算任务时,传统计算架构已经越来越不能满足快速发展的应......
金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET）的特征尺寸随等比例缩小规则不断减小......
科技的飞速发展促进了新兴技术被广泛的应用到人类的日常生活中,然而应用程序需要处理的数据量也随之陡增。由于内存技术的发展趋......
人工智能作为一个曾经让人感到很遥远的词,往往只出现在各种影视作品中,然而现如今,这个词已经渐渐的深入到我们的生活中来。商品......
针对22 nm全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)工艺静态随机存储器(SRAM)开展了重离子实验,对比了不同加固设计的FDSOI SRAM的抗单粒子翻转(SE......
量子元胞自动机（Quantum-dot Cellular Automata,QCA）是一种有望替代传统CMOS电路的一种新型纳米器件,在理论上,QCA具有超低功耗、超......
21世纪以来,物联网以及大数据,云计算不断发展为嵌入式存储器尤其是SRAM的变革带来动力。移动终端的高稳定性,低功耗的需求促使着......
随着高新技术领域的高速发展,在电子设备进行规模巨大的数据信息交互与处理的过程中要求SRAM模块具备低功耗,高稳定性等优点。在强......
为了提高航空航天设备的可靠性和运行速度,提出了一种新型读写分离的14T静态随机存储器(SRAM)单元.基于65 nm体硅CMOS工艺,对读写......
静态随机存储器(SRAM)作为最主要的存储器之一,是现代SoC中的关键部分.其功耗以及稳定性等各方面性能是整个芯片性能的关键因素.半......
本文基于40nm工艺设计了一款SRAM32X64的高性能存储器,采用电路优化设计和全定制的版图布局布线,时序分析和功能验证.新型的存储单......
异步SRAM的结构和速度与同步SRAM有很大的差异,为了降低SRAM的维持功耗和提高工作速度,通常要针对异步SRAM特殊模块进行定制设计.......
目前SRAM为了达到高可靠性和高性能,普遍采用全定制设计方法.全定制模块的时序模型对后续物理设计至关重要,因此如何有效地建立SRA......
研制了双端口SRAM单粒子效应检测系统，并对IDT公司生产的3种双端口SRAM(IDT7024L35GB、IDT7025L35GB、IDT7006L20FB)进行了单粒子效......
对0.15μm特征尺寸CMOS工艺商用静态随机存储器(SRAM)开展了中子辐照后的瞬时电离辐射效应实验研究,获得了中子辐照后SRAM器件的瞬......
在中国原子能科学研究院HI-13串列加速器上对中国科学院微电子研究所的8K×8SOI SRAM进行了单粒子效应实验。数据由存储器辐射效应......
在部分耗尽绝缘体上硅(PD SOI)衬底上形成的128K静态随机存储器的抗总剂量率(TID)水平达到500krad(Si),瞬态剂量率水平超过2.45x10......
该文报道了利用北京大学串列静电加速器提供的重离子对两类静态随机存储器进行单粒子效应的研究，给出了两类静态随机存储器的单粒子......
提出了一种ＣＭＯＳＳＲＡＭ读出灵敏放大器的新结构。该放大器同传统的ＰＭＯＳ电流镜放大器和ＰＭＯＳ交叉耦合放大器相比，具有速度快、增益大、功耗小等特点，可广泛......
上海华虹 NEC 电子有限公司(www.hhnec.com.cn)与上海华杰芯片技术服务有限公司日前正式签订合作协议,后者将为华虹NEC 新近开发......
芯原微电子和宏力半导体制造公司近期发布了针对宏力半导体0.18微米CMOS工艺的芯原标准设计平台。该平台是一个完整的、易用的、并......
介绍了基于共振隧穿二极管的隧穿静态随机存储器的单元结构和原理 .讨论了 n MOS,p MOS和 CMOS作为单元里的选中管的特点 ,综合考......
为解决集成电路的全芯片静电防护设计中寄生电阻导致的防护空间压缩问题,提出了一种实用的能够在版图设计过程中提高集成电路静电......
为保护电子设备中使用的静态随机存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)内部电路设计不被窃取,设计了用于SRAM FPGA的防克隆电路。......
当电子器件应用在辐射环境下时，粒子流会与器件材料相互作用，使器件产生辐射损伤。该损伤导致器件电气特性发生改变，引起集成电路发生......
互联网的飞速发展对其承载能力和吞吐量提出了越来越高的要求,路由器作为互联网中负责转发数据的关键节点设备,其能效和性能也受到......
伴随着物理、材料学、工程设计技术等方面的高速发展以及相互交融,人们通过跨学科的合作,使得集成电路中的最小尺寸不断打破原有工......
随着半导体工艺的不断进步,工艺参数偏差对静态随机存储器(Static Random Access Memory,SRAM)性能、功耗的影响越来越显著。SRAM......
随着晶体管尺寸的缩小,SRAM(Static Random Access Memory,静态随机存储器)的静态漏电流不断的增长。由SRAM的静态漏电流产生的静......
英特尔公司宣布制造出基于65纳米技术(下一代半导体批量制造工艺)的全功能SRAM(静态随机存储器)芯片。这种65纳米制程融合了高性......
赛普拉斯半导体公司(Cypress)于近日推出了一款4-Mbit非易失性静态随机存储器(nvSRAM)产品。这款新器件产品的特色包括15ns的快速......
重离子实验结果表明,具有高线性能量转移(LET)或大角度入射的快重离子导致静态随机存储器(SRAM)中的多位翻转(MBU)比例增大,甚至超......
随着微电子器件集成度增加,由入射离子在器件灵敏区内引起的δ电子分布对器件单粒子效应的影响越来越显著;尤其是它极易引发多位翻......
以静态随机存储器为研究对象,对其在线和离线测试下的总剂量辐射损伤规律进行了研究,探寻了两种测试条件下总剂量损伤的差异并对造......
基于单粒子效应脉冲激光实验装置,开展了90 nm互补金属氧化物半导体静态随机存储器的单粒子翻转和闩锁效应实验,并给出了器件单粒......
本文利用60Coγ源和兰州重离子加速器,开展不同累积剂量下,静态随机存储器(static random access memory,SRAM)单粒子效应敏感性研......
Multiple-bit upset(MBU)occurs when the single energetic particle strikes a memory circuit and causes more than one bit t......
宇航半导体器件运行在一个复杂的空间辐射环境中,质子是空间辐射环境中粒子的重要组成部分,因而质子在半导体器件中导致的辐射效应......
IBM公司最近宣布六个新机型:3083-EX、BX、JX,3081-GX、KX以及3084-QX,直接取代3083-E、B、J,3081-G、K和3084-Q。新机型在内部性......
一、测试对象 仪器用来对图1所示64—1024位CMOS静态随机存储器（RAM）进行功能测试。
First, the test object The instrument use......
本文描述一个只用5伏电源并且与TTL相容的两个4096位的MOS随机存储器,该存储器在最坏情况下读出时间为200ns,功耗为370mw。它可以......
