基区掺杂相关论文
从理论上对n~(+)在p上和p在n上的HgcdTe光电二极管的性能再度进行了分析。假定光电二极管的性能是由于受俄歇机理控制的热发生的结......
由ＩＧＢＴ器件组成的大功率桥式振荡电路的导通瞬间，如果驱动保护设置不合理，就会有一个十分尖锐的电流峰．结合ＩＧＢＴ器件结构，分析了造成该电流峰的......
用气态源分子束外延法制备了Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉｎｐｎ 异质结双极晶体管．晶体管基区Ｇｅ 组分为０．１２，Ｂ掺杂浓度为１．５×１０１９ｃｍ － ３，ＳｉＧｅ合金厚度约４５ｎｍ ．直流特性测试表明，共发射极直流放大倍......
SiGe／SiHBT作为单片微波集成电路中的有源元件，在截止频率、增益、噪声等方面相对于GaAs器件有很大的优势。本文结合本单位在SiGe材......
本文叙述了 npn 等平面结构的微波晶体管的制造过程和性能。制造过程包括用高压水汽选择氧化实现等平面结构、亚微米光刻、杂质分......
在简要地回顾表示构成I~2L基本单元的反向运用多收集极n-p-n晶体管和横向p-n-p晶体管特征的有关器件参数之后,定量地讨论了这种门......
半导体器件的低温性能,是半导体器件可靠性的一个重要方面,半导体器件在低温条件下(-80～-40℃)能否正常工作,直接影响到整机的性能......
利用宽禁带发射极高注入效率的异质结双极晶体管(HBT),可同时提高基区掺杂、降低发射区掺杂,从而降低基区电阻和基极-发射极结电......
本文报道了具有高光增益的GaAs/Ga_(0.55)Al_(0.45)As异质结光晶体管的研制,并对影响器件光增益的一些因素作了讨论.实验中得到的......
评述了传统的双极正艺所面临的问题,并讨论了先进的“双-多晶硅”自对准双极工艺的潜力和限制。还讨论了缩小这些使用于高性能ECL ......
本文分析了高压二极管、低频功率晶体管等器件在中子辐照后电参数退化规律。为提高这些器件的耐中子辐照能力,给出了这些器件结构......
本文介绍了以宽禁带发射极晶体管为重点的六种异质结双极晶体管(HBT)的一般设计原则。为说明这一原则还给出了一个高速开关HBT的设......
HBT由于采用了宽禁带发射区,充分利用了EB异质结能带的特点,使器件同时具有高的基区掺杂浓度和注入效率,并且,击穿电压高,势垒电容......
本文报道了用快速加热化学汽相外延法生长重掺杂Si/Si和Si/Ge/Sip~+-n~+结的实验结果,与过去报道的用离子注入法制作的Si结相比,这......
优化双极器件的改善ＢｉＣＭＯＳ电路延迟的ＣＡＤ方法＝ＡＣＡＤｐｒｏｃｅｄｕｒｅｆｏｒｏｐｔｉｍｌｚｉｎｇｂｉｐｏｌａｒｄｅｖｉｃｅｓｒｅｌａｔｉｖｅｔｏＢｉＣＭＯＳｃｉｒｃｕｉｔｄｅｌａｙ［刊．英］／Ｄｅｓ－ｏｕｋｌ．Ａ，Ｓ．…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｃ...
Optimized bipolar devices to improve BiCMOS circuit delay CAD method = ACADpr......
对少子ＭＩＳ隧道结发射极晶体管提出一种场感应结模型。以此模型为基础，导出该器件的ｈＦＥ与金属功函数及基区掺杂浓度的关系．所得结果与实验数......
PNP管的结构是由P型发射区、N型基区、P型集电区组成的三层两结.PNP管的基区宽度和基区掺杂对PNP管电特性的影响很大.在常规IC工艺......
For optimization of the ECL circuit performance, SiGe ECL made of SiGe HBT switching transistors by low temperature tech......
