【摘 要】
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本文叙述了 npn 等平面结构的微波晶体管的制造过程和性能。制造过程包括用高压水汽选择氧化实现等平面结构、亚微米光刻、杂质分布的恰当控制等。并对一些有关问题作了讨论
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本文叙述了 npn 等平面结构的微波晶体管的制造过程和性能。制造过程包括用高压水汽选择氧化实现等平面结构、亚微米光刻、杂质分布的恰当控制等。并对一些有关问题作了讨论。在2GHz 下,已作出了噪声系数≤1.5dB,相应功率增益为≥9dB 的晶体管。
This article describes the npn planar structure such as the manufacture of microwave transistors and performance. The manufacturing process includes the use of high-pressure water vapor selective oxidation to achieve equal-planar structure, submicron lithography, proper control of impurity distribution, and the like. And some related issues were discussed. At 2 GHz, a transistor with a noise figure ≤ 1.5 dB and a corresponding power gain of ≥ 9 dB has been made.
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