【摘 要】
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SiGe／SiHBT作为单片微波集成电路中的有源元件，在截止频率、增益、噪声等方面相对于GaAs器件有很大的优势。本文结合本单位在SiGe材料和器件、电路等方面做过的工作，对实现SiGe
【机 构】
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北京工业大学电子工程学系,北京光电子技术实验室，北京100022
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SiGe／SiHBT作为单片微波集成电路中的有源元件，在截止频率、增益、噪声等方面相对于GaAs器件有很大的优势。本文结合本单位在SiGe材料和器件、电路等方面做过的工作，对实现SiGe单片微波集成电路的一些理论和技术要点作了阐述。
SiGe / SiHBT as monolithic microwave integrated circuits in the active components, the cut-off frequency, gain, noise, etc. relative to GaAs devices have a great advantage. In this paper, the unit in the SiGe materials and devices, circuits and other work done on the realization of SiGe monolithic microwave integrated circuits, some of the theory and technical points are described.
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