【摘 要】
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本文报导的X波段硅微波振荡晶体管WZ321型器件,采用了亚微米全干法刻蚀技术、离子注入基区掺杂技术、砷发射区、多层金属化电极、小寄生参量的全密封封装,使器件具有良好的微
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本文报导的X波段硅微波振荡晶体管WZ321型器件,采用了亚微米全干法刻蚀技术、离子注入基区掺杂技术、砷发射区、多层金属化电极、小寄生参量的全密封封装,使器件具有良好的微波性能和可靠性。器件典型的微波参数是在7.5GHz下,振荡输出20mW。
The WZ321 device of X-band silicon microwave oscillating transistor reported in this paper adopts sub-micron dry-etching, ion-implanted base-doping, arsenic emitter, multi-layer metallized electrode and hermetically sealed package with small parasitic parameters. The device has good microwave performance and reliability. Typical microwave parameters for the device are at 20mW oscillation output at 7.5GHz.
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