静态随机存取存储器相关论文
随着物联网和人工智能应用的迅速发展,高能效集成电路设计方法成为重要的使能技术。近阈值宽电压设计方法是国际公认的技术途径之......
随着可穿戴设备和物联网(Internet of Things,Io T)的发展,市场对低功耗全球导航卫星系统(Global Navigation Satellite System,GNSS)......
随着集成电路技术的不断进步,静态随机存取存储器(Static Random Access Memory,SRAM)在片上系统(System on Chip,So C)中的作用越来越......
当前基于冯·诺依曼架构的计算系统受到内存、功耗、带宽等方面限制,人们试图开发新的架构方式,以避开这些限制。其中,存内计算由......
目前已有一些在ESD和电磁干扰下存储器行为的表征研究,但对静态随机存取存储器(SRAM)的连续波抗扰度的频率响应特性的研究很少.文......
存算一体(Compute In-Memory,CIM)是解决传统冯诺依曼计算机架构性能与功耗瓶颈的一种有效方法,然而,存算一体在降低传统冯诺依曼架......
卷积神经网络(Convolutional Neural Networks,CNN)在视觉感知领域实现了优秀的分类效果,甚至超越了人类的视觉水平。但是随着网络发......
空天应用集成电路通常需要工作在恶劣的空间辐射环境中,因此会受到太空中高能粒子轰击从而引发辐射效应。美国国家地理数据中心(NGD......
本文介绍了一种新型的抗噪声地址转换监控(ATD))电路。在CMOS静态存储电路中,ATD)信号作为重要的触发信号加快了数据读出速度。对于......
单粒子事件成为影响航天器的在轨寿命和可靠性的重要因素,提高SRAM的抗单粒子能力,正成为当前电子元器件抗辐射加固领域的研究重点之......
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Monte Carlo simulation results are reported on the single event upset(SEU) triggered by the direct ionization effect of ......
随着片上系统的密度越来越高,现代应用需要越来越多的存储器模块,其占据了芯片相当一部分面积。随着工艺尺寸的缩减,辐射导致的单......
在空间应用中,航天器和人造卫星中的体积和能源有限,集成电路芯片以其体积小,功能强,重量轻等优点得到了广泛应用。而芯片在空间环......
随着微电子技术的飞速发展,毫无疑问,21世纪将是信息的世纪。而半导体存储器却是微电子技术的基础。在半导体存储器这一大家庭中,静态......
CMOS SRAM作为IC领域中一个极为重要的部分,其测试研究工作对于保证集成电路产品的质量具有重要的实际应用价值。传统的基于电压测......
航天器用半导体存储器的单粒子效应是关系到航天器安全和可靠性的关键问题,该文从机理分析、模拟计算和实验研究三个方面进行了深......
长期以来静态随机存取存储器(以下简称SRAM)作为高性能存储器得到了广泛的应用,随着芯片规模的日益增大,大容量高速低功耗的SRAM设计......
随着芯片集成度越来越高,容量要求越来越大,使得存储器在集成电路中所占面积比例越来越大,存储器对于系统性能的影响也越来越大,以至于......
绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator, SOI)技术全介质隔离的结构彻底消除了体硅CMOS器件中的寄生可控硅结构,避免了门锁效应,同时减少......
随着半导体技术的不断发展,静态随机存取存储器(Static Random AccessMemory,SRAM)已被广泛应用于计算机、便携式移动设备、汽车电子......
移动互联网技术在最近几年迅猛发展,其导致微处理器与片上系统对静态随机存取存储器(Static Random Access Memory,简称SRAM)的要......
航天事业的迅速发展,使得太空中辐射对航天器件的损害效应越来越受到人们的关注。即便在地球附近也会存在能量极高的粒子,这些高能......
近年来,随着移动互联网设备的快速普及,对移动处理器性能和功耗的要求越来越高,动态电源电压调节技术很好的实现了这两个优点。但......
本论文详细介绍了一种基于FPGA的图像采集处理系统的设计和研究方案,将目前进行图像信息处理中广泛采用的可编程逻辑器件设计技术......
美国Intel公司于2000年11月7日宣布开发完成0.13μm的半导体制造技术,并宣布将在2001年采用该技术批量生产微处理器,并向市场推出工......
分析了静态随机存取存储器 (SRAM) 的漏电流,总结了目前业界所用的各种降低漏电流的技术,包括衬底偏压、源极偏压、双电源电压、字......
对1 Mb静态随机存取存储器(SRAM)进行了不同偏置条件下的总剂量辐照效应研究。结果表明,试验选取的CMOS SRAM器件为总剂量辐射敏感......
应用重离子加速器和 2 52 Cf源进行单粒子翻转效应实验 ,测量得到 IDT系列和 HM系列静态随机存取存储器的单粒子翻转重离子 L ET阈......
设计了一种65-kb BiCMOS静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路,提出了采用先进的0.8μm BiCMOS工艺,制作所设计SRAM的......
比较分析了8管SRAM单元在不同双阈值组合情形下的性能,为不同需求的设计者提供了在静态噪声容限(SNM)、漏功耗和延迟之间做出合理......
在空间和核辐射环境下,电离总剂量辐射(TID)效应严重影响采用商用CMOS工艺的SRAM的可靠性和寿命。针对SRAM,设计了四种TID加固的存......
转置存储是信号处理中常见的算法,矩阵转置的效率对整个算法(如实时成像算法)的性能有着重要影响.在研究各种矩阵转置方法的基础上......
A simulation approach is developed to obtain the linear energy transfer(LET) spectrum of all secondary ions and predict ......
Azimuthal dependence of single-event and multiple-bit upsets in SRAM devices with anisotropic layout
Experimental evidence is presented showing obvious azimuthal dependence of single event upsets(SEU) and multiple-bit ups......
An approach to design small scale CMOS static random access memory (SRAM) is proposed. The design of address decoder, me......
A signal probability and activity probability (SPAP) model was proposed firstly, to estimate the impacts of the negative......
目前,麻省理工学院(MIT)的研究员将在著名的国际固态电路会议(ISSCC)上展示一款采用德州仪器(TI)先进65纳米CMOS工艺制造的超低功耗(ULP)256......
针对VGA格式的视频输入信号的特性,结合复杂可编程逻辑器件(CPLD)设计了适用于LCOS场序彩色显示的信号控制器。以CPLD为核心,采用乒乓......
由于空间辐射效应会导致SRAM器件单粒子翻转、单粒子锁定等现象的产生。文中介绍了SRAM辐射效应测试装置的硬件、软件构成及有关测......
65nm及其以下工艺,工艺波动对SRAM性能影响越来越大。SRAM读写噪声容限能够反映SRAM性能的好坏,对于预测SRAM良率有着重要的作用。采......
在传统静态随机存储器(SRAM)读操作跟踪电路中,生产工艺和温度的偏差会直接影响到对SRAM中存储数据的正确读取。因此,在本文中,我们......
直接水流直接的电流( DC-DC )变换器为在显示器驱动程序集成电路( IC )使用的 1 T 静电干扰随机存取记忆(静态存储器)被设计,它由......
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本文设计了一种基于DVB-C的卷积解交织器,利用两个静态随机存取存储器(SRAM)来实现.用一SRAM来存储解交织的数据,读写共用一个地址......
设计了一种65-kb BiCMOS静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路,提出了采用先进的0.8μm BiCMOS工艺,制作所设计SRAM的一些......