论文部分内容阅读
美国Intel公司于2000年11月7日宣布开发完成0.13μm的半导体制造技术，并宣布将在2001年采用该技术批量生产微处理器，并向市场推出工作频率达数GHz的下一代高性能微处理器产品。rnIntel表示，该公司正在开发长为70nm的晶体管门电路、门电路氧化物膜为1.5nm、铜布线以及低介电常数绝缘体分离技术的静态随机存取存储器和微处理器。rn据说，与0.18μm制造技术相比，该微处理器的工作频率最大可以提高65％。逻辑电路的工作电压为1.3V，可以比目前的最低工作电压降低20％。