随着芯片集成度越来越高，容量要求越来越大，使得存储器在集成电路中所占面积比例越来越大，存储器对于系统性能的影响也越来越大，以至于存储器性能的提高成为一个极大的挑战。近年来，静态随机存取存储器（SRAM）的低功耗和快速数据存取的特点使其发展迅猛，如今SRAM尤其是高速SRAM在通讯领域的各项基础设施和通讯终端设备中被广泛应用。静态随机存取存储器（SRAM）促进了当今的高端便携消费电子产品热潮，但同时这也对SRAM的性能提出了更高的要求。所以对于大容量、高密度、高速度、低电压、低功耗和高可靠性的静态随机存取存储器（SRAM）的研究和设计具有重要的意义和价值。　　本文通过分析静态随机存取存储器（SRAM）在当今集成电路设计中现状及发展，基于VLSI实验室的多个SRAM设计项目，研究了SRAM设计和实现过程中的关键技术。　　本文首先分析了各种不同结构的SRAM基本存储单元的原理及特点，以及不同种类的SRAM电路结构及其特征，提出了它们的应用对于SRAM电路性能的影响。细化地研究了在SRAM电路设计过程中为提高芯片性能，需要特别设计的电路关键组成部分。提出SRAM全定制设计和实现的方法，并且研究了SRAM芯片设计过程中电路及版图的各种不同的仿真验证方法。最后研究了为提高SRAM芯片的可靠性和性能，在版图物理实现过程中可采用的方法和工艺。