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长期以来静态随机存取存储器(以下简称SRAM)作为高性能存储器得到了广泛的应用，随着芯片规模的日益增大，大容量高速低功耗的SRAM设计难度也在逐渐加大。目前，SRAM设计主要遇到两个问题，一是它的设计方法相对滞后；二是容量的增大使得它高速低功耗实现愈加困难。因此SRAM设计方法的改进、以及高速低功耗实现的深入研究，对于SRAM的发展是具有推动作用的，这也是本文所要着重讨论的问题。
本论文对SRAM的设计流程进行了介绍，并着重指出目前设计流程的某些不足之处。深入讨论了SRAM的工作原理以及发展历史，并较为详细的介绍了关于SRAM的技术革新与发展趋势；在此基础上对SRAM的性能指标进行了讨论，分析了决定SRAM性能的诸多因素。
针对SRAM设计方法的问题，提出了几种快速计算模型，它们分别是快速仿真模型、快速的综合技术、以及深亚微米条件下漏电流功耗的快速计算方法。其理论和方法都是经过了实际流片的验证，能够大大提高SRAM的设计效率，因此这些技术都是具有很高的准确性和实用性的。
本文从两个方面对SRAM的高速低功耗设计实现进行了分析。首先是从电路级的角度进行了研究，电路级的讨论分别是从译码电路和数据通路两部分进行分析的，并在此基础上设计了一个工作于500MHz，容量为128Kb的SRAM，它有力验证了所提出的高速低功耗的设计理论；然后，从SRAM的整体结构方面对其性能改进提出了优化的方案，通过重点介绍SRAM的速度、功耗和面积的计算模型，提出了SRAM结构划分所引起的面积、速度和功耗变化的性能关联图。性能关联图的总结对于SRAM性能变化的整体评估具有重要的指导意义，更有助于设计者在设计之初对SRAM进行架构的设计，有效的避免了设计中的返工。
通过本文的研究表明，SRAM的设计是一个复杂的问题，它不但是一个硬件设计的问题，同时与相应的EDA软件的发展息息相关。本文所提出的SRAM设计方法的改进能够大大提高SRAM的设计效率，有效的降低其设计成本；SRAM高速低功耗设计的深入讨论，对SRAM的整体结构优化及性能提高具有重要的指导作用。