总剂量辐照相关论文
对基于GaN的DC/DC变换器进行了总剂量、单粒子及耦合辐照效应研究，讨论了DC/DC变换器在特定负载及电压条件下，输出电压、输出电流、......
绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管（SOI-LIGBT）是单片智能功率芯片中的最核心元件,采用SOI衬底可以有效提升器件的抗空间辐照能力,受......
随着科学技术的发展,特别是航天技术、核技术和军事技术的发展,对高性能、低体量、可以应用于各种恶劣的高温强辐射环境下的电力电......
辐照会引起MOS器件电介质氧化物与半导体界面势垒变化，影响其工作性能和可靠性。测量了n型6H-SiC MOS电容辐照105rad(Si)剂量前后的......
高压DAC由于采用了大量厚栅氧MOS管,在总剂量辐照环境下会引起器件参数漂移、漏电流增加等。通常的解决方法是衬底隔离寄生MOS管、......
提出了一种具有叠层埋氧层的新栅型绝缘体上硅(SOI)器件.针对SOI器件的抗总电离剂量(TID)加固方案,对绝缘埋氧层(BOX)采用了叠层埋......
成功制作了5mm栅宽SiC MESFET，初步研究了γ电离总剂量辐照对器件直流特性的影响。γ电离总剂量辐照源为钻60γ射线，γ射线剂量率为3......
MOSFET总剂量加固强烈依赖于工艺技术,对干氧方式下不同条件制备的NMOS、PMOS管,分析其辐照响应,并借用亚阈值I-V技术分离氧化物陷......
对1 Mb静态随机存取存储器(SRAM)进行了不同偏置条件下的总剂量辐照效应研究。结果表明,试验选取的CMOS SRAM器件为总剂量辐射敏感......
研究了在不同的温度和偏置条件下对SIMOX SOI MOSFET进行总剂量辐照的退火特性。结果发现,ON偏置时退火效应较显著,且高温时退火效......
在商用SIMOX衬底上制备了抗辐照NMOSFETs,使用的主要技术手段有:氮化H2-O2合成栅介质加固正栅;增加体区掺杂,以提高背栅阈值电压;......
本文采用统计分析的方法对大样本互补型金属-氧化物-半导体器件（CMOS）CC4069电路辐照前后的数据进行了处理。比较了研究变量的晶体管......
研究了主要由N80C196KC20、PSD50181和X24F128三部分组成的单片机系统在X射线辐射环境中的剂量增强效应。对系统及三部分单元电路......
针对某卫星载荷二次电源所面临的空间总剂量辐射环境及其效应，进行了二次电源用3 款MOSFET（IRF5N3415、IRF7NA2907、IRF7N1405）的抗辐......
在埋氧化层厚度不同的SIMOX衬底上制备了H型栅结构器件。经过总剂量辐照后，器件的正栅亚阈值特性无明显变化，背栅亚阈值特性发生平移......
总剂量辐照下,存储单元和MOS管阈值电压均会发生漂移,引起灵敏放大器性能退化.基于0.6μmSOI工艺,设计了一种用于SONOSEEPROM存储......
针对CMOS反相器进行了电路级的抗总剂量辐射加固设计，对采用此电路结构反相器的抗总剂量辐射性能，利用电路模拟软件Pspice进行了模拟......
研究了总剂量辐照效应对0.35μm的NMOS器件热载流子测试的影响,结果发现：经过100 krad（Si）总剂量辐照的NMOS器件在热载流子测试时其阈......
研究了基于超薄SOI(UTSOI)的MOSFET总剂量辐照效应。研究主要基于晶体管的三个工作状态(ON状态、OFF状态、TG状态)和不同的背栅偏......
对PDSOI CMOS器件及电路进行总剂量辐照的加固势必会引起其性能下降,这就需要在器件及电路加固和其性能之间进行折中.从工艺集成的......
采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺，研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS......
研究了总剂量辐照效应对0.35μm n型金属-氧化物-半导体（NMOS）器件热载流子测试的影响.试验结果表明：经过100 krad（Si）总剂量辐照后进行......
通过对MOS电容进行热载子注入和总剂量辐照实验，探讨了MOS结构热载子注入与总剂量辐射响应的相关性．研究结果表明，热载子注入和总剂量......
对用多次注入与退火技术制成的ＳＩＭＯＸ材料制备的Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了６０Ｃｏγ射线累积剂量辐照试验，测量了不同辐照偏置条件和辐照剂量下的亚阈特性曲线和阈......
超结器件打破了传统意义上的“硅极限”,具有优良的电学性能,有望代替常规功率MOSFET应用在空天飞行器电源等。然而,空天飞行器所......
文章通过分析总剂量辐照机理和三极管结构总剂量辐照的瓶颈部位,比较普通和多晶发射极VNPN晶体管结构上的区别,指出多晶发射极结构......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
在商用SIMOX衬底上制备了部分耗尽抗辐照H型栅NMOSFETs,使用的主要技术手段有:氮化H2-O2合成栅介质加固正栅;增加体区掺杂,以提高......
期刊
以双多晶自对准互补双极器件中NPN双极晶体管为例,阐述了发射极电阻提取的基本原理和数学方法。在大电流情况下,NPN管的基极电流偏......
研究了基于Cux SiyO结构的阻变式随机存储器(RRAM)的抗总剂量辐照能力.存储器芯片置于钴源辐照室内,通过60Co释放出的y射线模拟空......
双极晶体管的辐照总剂量效应主要表现为电流增益下降和漏电流增加。工艺相同、发射结结深不同的LPNP双极晶体管的抗辐照敏感性不同......
本文通过实验研究了0.8μm PD(Partially Depleted)SOI(Silicon-On-Insulator)p型Metal-oxidesemiconductor-feld-efect-Transisto......
与传统体硅相比,SOI材料集成度高、抗辐照能力强、功耗低,速度快、适用于小尺寸器件,能够克服体硅材料的不足,最大程度的发挥硅集......
应变和高k栅技术都是延续摩尔定理的重要手段,将两种技术相结合,不仅可以有效地提高集成电路的工作速度,还可以降低栅电流引起的静......
随着集成电路尺寸的缩小,高k材料替代SiO2作栅氧已成为一种必然趋势。多年来,人们尝试了多种介电常数高于传统SiO2的材料,例如Al2O......
功率VDMOS器件除了广泛应用于家电、工业控制等领域外,还大量应用于核环境和空天环境的电力电子系统。核环境和空天环境中存在的多......
随着航天航空技术的发展，半导体器件及电路在总剂量辐照环境下的特性变化越来越受关注。CMOS器件作为集成电路的重要基本单元，在总剂......
针对硅双极器件及其构成的双极集成电路有着如低剂量率辐照损伤增强效应等不同于其他类型电路的特殊的辐照响应问题,分析了空间辐......
介绍了利用γ射线在不同偏置电压和不同辐照温度条件下,对不同导电沟道功率VDMOS器件进行总剂量辐照实验,从而分析研究这两种情况......
