在空间和核辐射环境下,电离总剂量辐射(TID)效应严重影响采用商用CMOS工艺的SRAM的可靠性和寿命。针对SRAM,设计了四种TID加固的存......

采用0.6μ m SOI SONOS工艺技术平台研制了0.6 μm SOI SONOS EEPROM管,分析其擦写特性.辐射前,SONOS EEPROM管的阈值窗口电压为5.......