静态随机存取存储器漏电流功耗降低技术

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liongliong453

【摘要】

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分析了静态随机存取存储器 (SRAM) 的漏电流,总结了目前业界所用的各种降低漏电流的技术,包括衬底偏压、源极偏压、双电源电压、字线电压反偏和位线电压浮动结构.它们都是通

【作者】

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吴晨张立军马亚奇郑坚斌

【机构】

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苏州大学,电子信息学院,江苏,苏州,215006;苏州秉亮科技有限公司,江苏,苏州,215021

【出处】

：

微电子学

【发表日期】

：

2010年4期

【关键词】

：

静态随机存取存储器漏电流功耗降低技术

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分析了静态随机存取存储器 (SRAM) 的漏电流,总结了目前业界所用的各种降低漏电流的技术,包括衬底偏压、源极偏压、双电源电压、字线电压反偏和位线电压浮动结构.它们都是通过改变SRAM各个端点的电压来实现的,在降低漏电流的同时,对SRAM器件性能也有一定的影响.基于UMC 55 nm CMOS工艺,对几种方案进行了仿真,并在理论分析的基础上,指出未来发展的趋势.

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