CMOS SRAM作为IC领域中一个极为重要的部分,其测试研究工作对于保证集成电路产品的质量具有重要的实际应用价值。传统的基于电压测试的测试方法已得到了广泛的应用,但这种方法仍然无法有效地检测某些故障。作为电压测试方法的补充,电流测试方法能够提高故障覆盖率和产品的可靠性。动态电流提供了一个观测电路内部开关性能的新窗口,动态电流测试方法为进一步提高故障覆盖率提供了可能。　　本文在深入研究SRAM结构原理、工作原理的基础上,设计了4-bit X4-bit CMOS SRAM,作为对SRAM进行动态电流测试研究的基础电路。在深刻理解SRAM故障模型基础上,通过故障注入和转换写操作或者读操作,完成了对SRAM开路故障、短路故障、图形敏感故障的故障模拟。通过HSPICE软件观测了故障单元与无故障单元的动态电源电流波形。通过比较二者的动态电源电流波形图说明了用动态电流检测CMOS SRAM故障是可行的。在此基础上设计了SRAM电流可测试性结构,以有效地检测CMOS SRAM这些故障。　　仿真结果证明:本文所提出的电流测试方法作为传统电压测试方法的补充,可以有效地检测CMOS SRAM开路故障和短路故障,而不需要额外的测试序列。