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该工作用射频（ＲＦ）磁控溅射方法，在经预处理后的（１００）单晶硅片上得到立方氮化硼薄膜。红外光谱、透射电镜形貌及电子衍射分析表明该膜为结晶良好的纳米晶纯立方相氮化硼薄膜。
磁控溅射制备c-BN薄膜
【摘 要】
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该工作用射频（ＲＦ）磁控溅射方法，在经预处理后的（１００）单晶硅片上得到立方氮化硼薄膜。红外光谱、透射电镜形貌及电子衍射分析表明该膜为结晶良好的纳米晶纯立方相氮化硼薄膜。
【机 构】
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大学超硬材料国家重点实验室(长春)
【出 处】
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'96中国材料研讨会
【发表日期】
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1996年期
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