【摘 要】
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用傅里叶红外光谱、透射电镜和化学腐蚀研究了氮气氛直拉硅(NCZSi)中的氧沉淀。结果指出,原生NCZSi中存在氧对-硅-氧复合物;N集中于氧沉淀的中心区域;N参子的中心区域表现出
【机 构】
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中南工业大学,中南工业大学,中南工业大学,浙江大学,
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用傅里叶红外光谱、透射电镜和化学腐蚀研究了氮气氛直拉硅(NCZSi)中的氧沉淀。结果指出,原生NCZSi中存在氧对-硅-氧复合物;N集中于氧沉淀的中心区域;N参子的中心区域表现出热稳定性。文中还提出了关于NCZSi中氧沉淀形核和生长途径的假设。
Oxygen precipitation in nitrogen-containing silicon nitride (NCZSi) was investigated by Fourier transform infrared spectroscopy, transmission electron microscopy and chemical etching. The results indicate that there are oxygen-silicon-oxygen complexes in native NCZSi, N concentrated in the central region of oxygen precipitation, and the central region of N-parameter shows thermal stability. The paper also proposed hypotheses about the nucleation and growth pathways of oxygen precipitates in NCZSi.
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