分布放大器相关论文
介绍了2～18GHz GaAs 微波低噪声宽带单片放大器设计原理及主要研究工作。给出了主要研究结果:在2～18GHz 频率范围内,管壳封装的两级......
ＧａＡｓＩＣ的最新进展——第十八届ＧａＡｓＩＣ研讨会简介１会议简介１９９６年１１月３～６日在美国奥兰多市举办了第１８届ＧａＡｓＩＣ研讨会。大会共收到论文１４５篇，会上宣读了６１篇，特邀报道１２篇。其......
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M/A-COM公司宣布了一种表面安装塑封超宽带放大器。这种宽带放大器引起诸如测试仪表、军事电子战及电子对抗、微波点对点无线电设......
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脉泽物理部分设计特点 JPL的氢脉泽设计目标是5秒到10~6秒的频率稳定度为1×10~(-13)。此外还要达到尽可能好的短期稳定度以获得......
由于各种固体负阻器件的进展,例如隧道二极管,参量应用的变容二极管等,从而引起了对具有周期性负载行波式分布放大器的研究。 本文......
多年来在无线电发送设备中的高频功率放大器要求输出功率大,效率高,频带宽,线性好。这些要求在技术上存在一些矛盾,如功率与效率......
作为大功率分布放大,截频自激是必须研究的问题。本文介绍板线采用常K滤波器,而栅线采用m导出式滤波器所做成的15kW分布放大器,并......
本文报导了用于分布放大器设计中的一个新的电路原理。这就是在栅极馈线上串连电容器来降低栅极的损耗。在总宽带输出功率和效率增......
本文介绍2～1(?)GHZ 的单片分布放大器,它有大于6dB 增益,±0.5dB 的增益平坦度,低于2.0:1的电压驻波比。测得的噪声系数低于7.5dB,......
1986年IEEE国际微波会议和微波毫米波单片电路会议于6月2日至5日在美国马里兰州巴尔的摩举行.这是国际微波学术界一年一度的盛会.......
本文给出微波 FET 分布放大器中损耗的影响,得出分布放大器的最佳节数。介绍分析分布放大器性能的矩阵算法,给出两节放大器性能的......
本文介绍了毫米波单片元件的最新发展,讨论了几个单片例子,其中包括输出功率为0.7毫瓦的66GHZ FET 振荡器,典型变频损耗为9分贝的 ......
2.多级分布放大器的最佳级数在式(2.1.33)中,对与 n 有关的项微分并令其等于零,求解后即可求出分布放大器所用的最佳有源器件数目......
美国Varian公司开发成功单级5～100GHz单片毫米波集成电路(Monolithic Millimeter-Wave Integrated Circuit,MMIC),其平均增益大于5......
为适应军用毫米波和潜在商用的发展,Varian公司研制了新的毫米波宽带放大器.以前的W频段(75～110GHz)雷达、通讯和监视系统存在不少......
本文介绍了一种高增益InP MMIC共源-共栅放大器,当偏置在最大带宽时,该器件在75～100GHz下的平均增益为8.0dB;当偏置在最高增益时,80......
本文研究了微波超导ＶＦＴ（涡旋流管）分布放大器的输入输出特性并给出了模拟设计结果。在分布放大器中，器件的寄生参量作为“有用”元件和集......
报道了８～１６ＧＨｚＧａＡｓ单片宽带分布放大器的设计与制作。单级ＭＭＩＣ电路采用三个栅宽为２８０μｍ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ作为有源器件，芯片尺寸为１．１ｍｍ×１．６ｍｍ。在８～１６ＧＨｚ频率范围，用管壳封装的两级级联......
AACC自动巡航控制ACIR 相邻信道干扰比ACLR相邻信道泄漏比ACMPA 耦合孔径微带补丁天线ACP相邻信道功率ACPR 相邻信道功率抑制ACPR ......
从六十年代起,我国开始广泛采用电子管分布放大器作为大功率短波发射机的前置功率放大器。本文介绍分布放大器的有关物理概念和调......
在为区域广播系统所设计的放大器中, 从输出端到输入端的能量反馈,使放大器不稳定性增大的倾向是严重的.取消独立的电源引线,可以......
一种称为模拟退火(SA)的计算优化法已用于设计单片分布放大器,用这种计算机辅助设计(CAD)程序可以得到MESFET小信号等效电路模型的......
基于南京电子器件研究所0.5μm GaAs PHEMT工艺,研制了一种高增益级联式光接收机前置放大器.作为前级的跨阻抗放大器的-3dB带宽为1......
叙述了一种带有分布输入和输出线的单片GaAs行波放大器,报导了它在0.5～14GHz范围内的实验性能。
A monolithic GaAs traveling wav......
微波单片矩阵分布电路作为一种新型宽带电路，在各种军、民用系统中均有宽广应用前景。该文简要介绍了所研制的微波单片矩阵分布放大......
该文对分布放大器的基本原理从理论上进行了分析,阐述了计算机模拟的设计方法.着重分析了使分布放大器增益-带宽的乘积达到最大值......
早在40年代,K.R.Shoulders就提出了真空微电子器件的一些新设想.1961年发表了真空微电子器件的系统的论证文章.其后SRI开展了系统......
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种光接收机分布式前置放大器.该放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz～16GHz范围......
利用0．5pmGaAsPHEMT技术研究了适用于单片集成GaAsPIN／PHEMT光接收机前端的关键工艺，解决了台面工艺和PHEMT平面工艺的兼容性问题，包括......
利用06微米CMOS技术设计了一种新型的CMOS分布放大器。介绍了分布放大器的原理。利用HP—ADS软件仿真和设计了一个四级CMOS分布放......
采用0．5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端，它包括金属-半导体-金属（MSM）光探测器和分布放大器．探测器光敏面积......
报道了８￣１６ＧＨｚ ＧａＡｓ单片宽带分布放大器的设计与制作。单级ＭＭＩＣ电路采用三个栅宽为２８０μｍ的ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ作为有源器件，芯片尺寸为１．１ｍｍ×１．６ｍｍ。在８￣１６ＧＨｚ频率范围，用管壳封装的......
介绍了２￣１８ＧＨｚ ＧａＡｓ微波低噪声宽带单片放大器设计原理及主要研究工作，给出了主要研究结果：在２￣１８ＧＨｚ频率范围内，管壳封装的两级级联放大器的增益Ｇ＝１３．５￣１８．３ｄＢ，噪声系......
采用分布电路原理、ＣＡＤ技术和微带电路技术，制作出多倍频程超宽带放大器。其主要技术参数为，ｆ＝２￣１８ＧＨｚ，Ｇｐ≥３０ｄＢ，△Ｇｐ≤±３ｄＢ，Ｆｎ≤７ｄＢｍ，Ｐ－１≥＋１０ｄＢ，ＶＳＷＲ≤２．５∶１。......
本文介绍一种已设计和制成的2—18.5GHz高性能单片砷化镓金属半导体场效应管分布放大器,对m导式漏路设计作了理论分析,并给出一个......
利用0．2μm GaAs PHEMT工艺实现了40Gb／s光接收机中的前置放大器．该放大器采用有源偏置的七级分布放大器结构，3dB带宽超过40GHz，输入输......
作为大功率分布放大,截频自激是必须研究的问题。本文介绍板线采用常K滤波器,而栅线采用m导出式滤波器所做成的15kW分布放大器,并......
采用分布电路原理、ＣＡＤ技术和微带电路技术，制作出多倍频程超宽带放大器。其主要技术参数为，ｆ＝２～１８ＧＨｚ，Ｇ＿ｐ≥３０ｄＢ，△Ｇ＿ｐ≤±３ｄＢ，Ｆ＿ｎ≤７ｄＢｍ，Ｐ＿（－１）≥＋１０ｄＢ，ＶＳＷＲ≤２．５：１。......
采用0．5μm GaAs PHEMT工艺，研制了一种PIN光探测器和分布放大器单片集成850nm光接收机前端。探测器光敏面直径为30μm，电容为0．25pF，10......
