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介绍了一款采用四级级联结构的高增益宽带Ku波段中功率放大器单片集成电路,依据电路原理和放大器性能指标设计了电路原理图,利用ADS软件对电路图进行了电学参数优化、电磁场仿真和版图绘制。针对放大器工作频带宽和增益高,容易产生自激振荡等问题,设计过程中特别考虑了放大器的稳定性和增益平坦度。采用0.25μm栅长的GaAs PHEMT工艺完成了芯片制造,微波性能测试结果表明,在12～18 GHz内,该放大器输出功率大于27 dBm,功率增益大于27 dB,输入回波损耗大于12 dB。