增益平坦度相关论文
雷电是一种频发的自然现象,其发生时常常伴随着强电流、高电压并向外辐射电磁脉冲。据统计,全球各个地区每秒会发生近两千个雷电。......
采用0.5μm GaAs E-PHEMT工艺设计了一款0.5～5 GHz高增益宽带低噪声放大器芯片.该放大器采用三级共源结构,运用负反馈技术有效地进......
低噪声放大器和功率放大器作为微波收发系统的重要组成部分，被广泛应用在卫星导航系统、移动通信、雷达系统等无线设备中。近年来蓬......
随着无线通信系统的逐步演变和发展，人们对数据速率、信号调制方式也有了更加高的需求。通信系统变得更加庞大和复杂，因此在通信过程......
为适应下一代6G网络对光纤传输系统大容量、高速率和低延时的要求,以Te基光纤为传输介质,利用差分进化算法设计了一款具有两级放大......
增益平坦度是衡量光纤通信中喇曼光纤放大器的关键参数之一。文章从级联光纤实现喇曼增益谱平坦技术的分析理论入手,改进了实现喇......
位于纽约贝尔实验室最新研究成果表明：采用长周期光栅滤波器可提高低噪声掺饵光纤放大器的增益平坦度，带宽可超过40nm。EDFA分为两级......
Ｏｐｈｉｒ推出了５０８０、５３０３０Ｂ和４０７６系列固态大功率宽带射频放大器,其工作频率分别为０．８～４．２ＧＨｚ、４．０～８．０ＧＨｚ、５．９～６．４ＧＨｚ,相应的输出功率分别为１００Ｗ、０６Ｗ和１２０Ｗ。该系列放大器具有极好的线性度和较宽......
Hittite公司宣布推出型号为HMC462LP5、HMC463LP5、HMC464LP5和HMC465LP5用标准表面安装技术(SMT)封装的四款新的宽带GaAs PHEMT......
Aethercomm公司推出一种最小工作频段为29.6—30.5GHz的Ka波段高功率放大器。由于这种功放坚固耐用,在宽带宽内提供高功率,因此,适......
提出并设计了一种用于数字电视接收调谐芯片的宽带低噪声放大器.该设计采用0.35μmSiGeBiCMOS工艺,器件的主要性能为:增益等于18.8......
介绍了一款应用于3GHz通信的基于改进增益平坦度的功率放大器设计,其由商用InGaP/GaAs异质结双极性晶体管(HBT)工艺制作.为了以简......
首先对分布式放大器中L型和T型网络的频率特性进行了研究.分析表明,L型网络比T型网络在设计中具有更好的频率特性.基于稳懋半导体......
随着第三代半导体GaN技术的发展成熟,GaN功率器件在各种电子系统中逐渐得到了广泛应用。由于GaN的功率器件具有击穿场强高和功率密......
采用分布式放大器设计原理,基于GaAs PHEMT低噪声工艺技术,研制了一款超宽带低噪声放大器单片电路。该款放大器选用分布式拓扑结构......
采用混合集成电路工艺,设计了一款小尺寸限幅低噪声放大器(LNA)。优化了限幅电路设计,明显缩小了电路体积。低噪声放大器采用负反......
从行波放大器设计理论出发,研制了一款基于低噪声GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计的2~20 GHz单片微波集成电路(MMIC)宽......
报道了一款采用0.25μm GaAs功率MMIC工艺研制的Ku波段功率放大器芯片。芯片采用三级放大拓扑结构,末级输出匹配电路按照高效率设......
基于90 nm栅长的InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款工作于130~140 GHz的MMIC低噪声放大器(LNA)。该款放大器采用三级级......
采用0.25μm PHEMT工艺技术,研制出了一款5~19GHz三级宽带微波单片(MMIC)功率放大器。从5~19GHz整个频段范围内,这款功放具有24dB......
作为一种无线短距离高速率的数据传输手段,WLAN最近几年来飞速发展并迅速普及。与此同时,WLAN标准也为了适应用户的需求而不断推陈......
为了满足6G系统对未来光通信网络的要求,利用掺GeO2微结构光纤设计了一种多泵浦拉曼光纤放大器,该方案能够解决适用于6G系统需求的......
期刊
为满足汽车EMC测试系统对功率放大器带宽和效率的要求,采用阶梯阻抗变换器的宽带匹配方法扩展其带宽,设计了一款在一个倍频程内拥......
一种５Ｖ６位８０ＭＳ／ｓＢｉＣＭＯＳ闪烁ＡＤＣ＝Ａ５Ｖ，６－ｂ，８０ＭＳ／ｓＢｉＣＭＯＳｆｔａｓｈＡＤＣ［刊，英］／Ｒｅｙｂａｎｉ，Ｈ．…∥ＩＥＥＥＪＳｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．－１９９４．２９（８）．８７３～８７８开发出一种５Ｖ单电源６...
A 5V6 bit 80MS / s BiCMOS Flash ADC = A5V, 6-b, 80MS / sBiCMOSftashADC [Journal, ......
该分系统有两部线性应答机,各能容纲1200双向音频信道或四路电视信道。应答机转发通信信号,接收指令并发射遥测信息。在6千兆赫的......
一、引言六十年代以来,由于半导体材料和器件制造工艺的发展,晶体管性能日益提高,由高频进入了微波频段;同时,也由于微波集成电路......
目前已研制出两种用于卫星电视接收机调频解调器的新型集成电路。该集成电路包含一个自动增益控制(AGC)放大器和一个锁相解调器,具......
本文介绍一种利用负反馈技术设计超宽带微波场效应管放大器的方法及其计算机辅助设计程序,所研制的三级放大器在1-4GHz频带内增益2......
在基本等效电路模型基础上考虑了栅、源、漏引线分布效应、射频耦合效应及偶极层电容，用此模型模拟了Ｘ－４１管芯２～４０ＧＨｚ范围内的微波Ｓ参数，结果和测......
基于负反馈的微波宽带放大电路结构,使用表面黏着塑料封装GaAs PHEMT器件,完成了3.1～5 GHz超宽带低噪声放大器的设计.本设计结......
本文设计了一个中心频率945MHz的平衡式功率放大器,实际测试1dB压缩点达到45dBm,100MHz带宽内增益为11dB,增益平坦度为2dB,并......
新型光纤雷达储频环路的基础研究主研人员：王志玉，周波，吴瑾在完成对光纤储频环路的理论分析、设计、计算、结构、主要参量、测试技术......
本文设计了一款W波段单片低噪声放大器(LNA),采用100nm In0.52Al0.48As/In0.53Ga047A GaAs MHEMT(渐变组分高电子迁移率晶体管)工......
根据PHEMT晶体管的特性、LNA微波频段的工作原理,设计和实现了应用广泛的L波段LNA,给出了基本设计思路和设计流程。
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本文对平衡式功率放大器的特性进行理论分析。采用NXP公司LDMOS晶体管BLF6G38-10,偏置在AB类,设计了一种基于Branch-line耦合器平......
从导带、价带和浸润层的能级跃迁出发，采用分段模型对量子点半导体光放大器的增益和自发辐射进行了数值研究.物理模型包括自发......
本研究理论获得了一种新型宽带、增益平坦且高增益的拉曼光纤放大器(RFA)。用两个泵浦源作用于石英光纤与掺磷石英光纤级联的两段......
本文研究了基于光子晶体光纤的拉曼放大器的特性．设计并仿真计算了纯硅5环方形结构的光子晶体光纤(PCF)，获得了高非线性、低平坦色散......
本文介绍基于PHEMT器件设计的2～26.5 GHz MMIC宽带行波放大器.在整个宽频带范围内实现了功率增益7 dB,增益平坦度0.5 dB.在26.5GHz......
本文介绍了一种运用单片集成技术设计的26.5～40 GHz的全频段低噪声放大器.通过测试,该放大器在常温和高低温状况下增益都可以大于30......
本文介绍了1-4GHz微波宽带微封装放大器的研制,采用负反馈的设计原理.利用EESOF进行CAD设计.主要指标为:工作频率1～4GHz,增益≥......
本文针对该放大器低噪声、增益及增益平坦度等几个主要指标,选用Excilics公司的EPB018A5-70场效应管,采取级联的设计方案.利用HP—......
