金属半导体相关论文
如何在常温常压的条件下活化甲烷的C-H键,将甲烷转换成更易被存储利用的有机衍生物,是现今社会催化领域最具有挑战性的前沿课题。......
单晶半导体纳米结构、贵金属纳米晶，因为尺寸、形貌的不同，具有可调的能带结构、荧光、表面等离子体共振(SPR)等光电性质。那么，集成......
用射频溅射法成功制备了金属/半导体型颗粒膜Fe/(InO).室温下,磁性测量结果表明样品具有超顺磁性,符合朗之万方程;所得到的巨磁电......
为同时，压电的展览和半导体性质例如 wurtzite ZnO，轧了的材料和客栈，以及压电的费用在金属半导体接触或半导体连接由外部地应用的紧......
我们报导光导的察觉者由收音机频率磁控管劈啪作响基于做 Al 的 ZnO 薄电影制作了的 metal-semiconductor-metal 的制造和描述。薄......
过度金属半导体纳米片盒纳米线由于其独特的形貌受到了研究人员广泛的关注。[1,2] 我们通过电沉积的方法在CFP/NiCo2O4的表面......
半导体光催化剂由于其在能源和环境中的应用近年引起了人们的广泛关注.碳化氮C3N4作为一种新兴的无金属半导体，展现出优异的光......
由于其极长费米的波长λF( 30纳米)、较小的有效质量(m* 0.01me)、长的载流子平均自由程等特性,上世纪60年代铋薄膜就已经受到广泛......
光子晶体材料有着特殊的结构，具备大的比表面积和大的孔体积。同时，由光子晶体材料折射率指数的周期性变化产生的光带隙结构控制......
An Al-doped ZnO/p-Si heterojunction is fabricated by a laser molecular beam epitaxy technique. The abnormally high ideal......
Based on the tight-binding approximation, analytical solutions of the energy dispersion and band gap of armchair-edge gr......
碳化硅(SiC)材料因禁带宽度大(3.2 eV)、击穿电场高(达到4×106V/cm以上)、热导率大(4.9 W/cm·K)、电子饱和漂移速度高(2×107cm/......
压电效应是压电材料在应力作用下产生形变时出现的一种内部电势的现象，广泛应用于微机械传感、器件驱动和能源领域。压电电子学......
本论文主要研究金属（-氧化物）-半导体结构中的新型光电效应：侧向光伏效应，双极性电阻效应。 第一章我们首先介绍侧向光伏效应和双极......
考虑4H-SiC常温下不完全离化和高饱和电子漂移速度的特点,采用载流子速度饱和理论和电荷控制理论, 结合双曲正切函数的描述方法,导......
金属氧化物半导体气敏传感器是现今应用最广、研究最充分的气体传感器领域之一。本文通过专利技术的角度出发,对国内外该专利技术......
Fabrication and characterization of metal-semiconductor-metal ultraviolet(MSM UV) photodetector based on ZnO ultra thin(......
提出了一种新的生长过渡层的方法，并利用低压金属有机气相外延技术在ＩｎＰ初底上生长出高质量ＧａＡｓ外延材料，用Ｘ射线双晶衍射测得５μｍ厚ＧａＡｓ外延层的晶......
用可调探测深度电子能量损失谱(TRLS)及俄歇电子谱(AES)研究 Pb/Si(001)系统界面反应.结果表明:在室温下,Pb与Si发生相互作用、强......
Template-free Polyoxometalate-assisted Synthesis of Au/ZnO Hollow Sphere Hererostructures for Photoc
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本文介绍一种已设计和制成的2—18.5GHz高性能单片砷化镓金属半导体场效应管分布放大器,对m导式漏路设计作了理论分析,并给出一个......
作者对稳定状态和脉冲方式下退火的金属膜组织转变作过比较。叶在脉冲退火之后金属半导体系相变的独特性能和电子物理性能进行了研......
叙述在MBE(分子束外延)GaAs/Si材料上制作GaAs MESFET与Ic的研究。考虑到GaAsIC与Si IC单片集成的需要,采用了Ti/TiW/Au肖特基金属......
本文采用ＡＥＳ．ＸＲＤ和ＴＥＭ等技术对Ｓｉ／Ｃｏ／ＧａＡｓ三层结构的界面反应作了详细的研究。结果表明：Ｓｉ／Ｃｏ与Ｃｏ／ＧａＡｓ两界面的反应的具有一定的相似性，即当退火温度低于３００℃时，两界面都......
半导体物理是许多专业的基础专业课,关系到诸多专业的知识提高与创新基础。但由于授课时长的限制,许多专业内容没有深入,造成了学......
A gain assisted double negative-Metallo-semiconductor photonic crystal(DN-MSPC) for visible light with effect of differe......
飞思卡尔半导体公司和IBM宣布，飞思卡尔将加入IBM技术联盟，联合进行半导体的研究与开发。此协议包括互补性氧化金属半导体（CMOS）技术和......
美国伊利诺伊州阿贡国家实验室和日本国家同步辐射研究中心科学家称，研究出一种能够将水泥变成液态金属半导体的新方法。他们可以让......
