【摘 要】
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本文介绍一种已设计和制成的2—18.5GHz高性能单片砷化镓金属半导体场效应管分布放大器,对m导式漏路设计作了理论分析,并给出一个闭式增益方程。理论预测值与实验结果以及复
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本文介绍一种已设计和制成的2—18.5GHz高性能单片砷化镓金属半导体场效应管分布放大器,对m导式漏路设计作了理论分析,并给出一个闭式增益方程。理论预测值与实验结果以及复杂的计算机辅助设计模型结果作了比较。在2—18.5GHz频段內,标准偏置情况下测得的典型小信号增益为8.0±o.25dB。典型的输入反射损耗大于12dB,而输出反射损耗大于15dB。在频带大部分的饱和输出功率23dBm,且噪声系数小于7.5dB。
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