共蒸发相关论文
在常温下,我们通过共蒸发法制得Sb2Te3 薄膜,制备出的薄膜在氮气氛围下做了不同条件的退火处理.为了研究退火对薄膜的性能的影响,我们......
用共蒸发法制备了ZnTe:Cu多晶薄膜,采用XRD(X射线衍射)、AFM(原子力显微镜)及XPS(X射线光电子能谱)等表征手段分析了薄膜结构、形......
本文目的是通过研究锑化铝多晶薄膜的结构、光学和电学上的性质,探索发展A1Sb太阳电池的可能性.用共蒸发法在室温下沉积了薄膜,通......
用共蒸发法在室温下制备了ZnTe:Cu多晶薄膜,利用XRD、AFM和XPS等测试技术对样品进行了表征,研究了掺Cu浓度和退火温度对薄膜物相和......
采用预制膜硫化法制备铜锌锡硫(CZTS)薄膜,分别在350,400,450,500,550℃进行硫化,研究了硫化温度对薄膜特性的影响。结果表明:硫化......
ACCI(Accelerated Coated Conductor Initiative)计划的目的旨在联合美国能源部所属实验室、工业界、以及大学共同努力 ,加速 YBCO......
近年来钙钛矿材料由于禁带宽度可调控、有较长的载流子扩散长度和较低的激子束缚能等优良特性而受到光伏研究者们的广泛关注,并且......
用真空共蒸发法沉积了ZnTe和ZnTe:Cu多晶薄膜,研究了Cu含量对薄膜结构和电学性能的影响.发现刚沉积的ZnTe薄膜和轻掺杂的ZnTe:Cu薄膜......
本研究用Eudragit RS和RL作载体,以消炎痛为模型药物的缓释型固体分散体,该固体分散物可用溶剂法制备。消炎痛是一种水难溶性含有......
利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收近边结构(XANES)方法研究了在Si(100)衬底上及600℃温度条件下用分子束外延(MBE)共蒸发方法生长的M......
用混合物理化学气相沉积法(Hybrid physical-chemical vapor deposition简称为HPCVD)制备了MgB2超薄膜.在背景气体压强、B2H6的流......
本文介绍了几种薄膜冶金方法的使用。叙述了电子束共蒸发技术在蓝宝石表面上制备Nb_3Ge薄膜,辉光放电制备非晶硅太阳能电池光电薄......
研制可擦除有效光盘的快速步伐仍在继续,某些形式的磁光介质可能获胜,但迄今为止试验的磁光材料,其读出光束的偏振转动有限。多数......
引言为实现高质量全色显示,使用稀土掺杂的碱土硫化物作为发光层的薄膜EL器件一直是大量研究工作的主要课题。Eu掺杂的CaS作为高......
耐熔金属硅化物与掺杂多晶硅结合作为金属—氧化物—半导体(MOS)器件的栅电极和集成电路的内联线材料已成功的应用于超大规模集成......
本文研究了CaS_(1-x)Se_x∶Eu(0...
对快速退火后用共蒸发B_2O_3方法实现重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究.1100℃退火可以使得外延层中载流子浓度提高4倍,空穴的霍耳......
我们利用欧姆加热共蒸发的方式,首次制备出了液氮温度以上的YBa_2CuO_(7-δ)超导薄膜。目前得到的结果是:起始超导转变温度95K;零......
介绍本研究组利用溅射硫化法、共蒸发以及共蒸发硫化法三种真空法路线制备锌黄锡矿结构薄膜的优化工艺、薄膜的光电特性以及器......
本文利用传统的共蒸发三步法制备了Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,通过优化金属镓(Ga)的蒸发温度,得到了合适的Ga的梯度分布,从而使电池的开......
GaSb的禁带宽度是0.72eV,为低禁带半导体,是红外探测器和光伏电池的主要材料。用传统的方法获得GaSb电池的代价很高。本文采用共蒸发......
本文制作了以共蒸发Cu2Te、掺杂石墨为背接触层的两种CdS/CdTe薄膜太阳电池。用深能级瞬态谱研究了它们的深能级中心。在以共蒸发C......
本文采用三步共蒸发方法制备Cu(GaxIn1-x)Se2薄膜,在第二步结束达到最大富Cu量时,中断薄膜沉积,形成Cu(GaxIn1-x)Se2与CuxSe的混合......
利用一种共蒸发及后退火的方法制备出包埋在氧化镁薄膜基质中的氧化锌量子点.经过退火之后进行的X射线衍射(XBD)实验表明了氧化锌......
用双束共蒸发的方法,将半导体GaN和绝缘介质CaF〈,2〉共蒸发,制备出GaN:CaF〈,2〉团簇复合膜。GaN团簇嵌埋在CaF〈,2〉中,其团簇大小可通过蒸发电流和携带气压控......
用共蒸发法制备了CdZnTe薄膜.研究了蒸发速率、衬底温度对薄膜成分(x值)的影响.用XRD表征薄膜结构,通过其电导——温度关系的测量,......
2011年12月31日,上海,晴。这是2011年最后的一天,很晴朗的天,一切似乎都很平静,很多人从进入办公室起就在盘算着这一年的最后一天......
由于Zn元素的含量对Cu2ZnSnSe4 (CZTSe)化合物太阳电池的性能有重要的影响,本文主要研究了不同锌蒸发温度对CZTSe太阳电池性能的影......
利用真空蒸镀技术共蒸发Cu,Zn,Sn金属丝在玻璃衬底上制备前驱体Cu-Z-Sn(CZT),并采用高温硫化金属前驱体的方法制备Cu2ZnSnS4 (CZTS......
采用真空共蒸发法在室温下沉积Sb-Te薄膜,在N2气氛中进行573K退火处理,制备出符合化学配比的Sb2Te3薄膜.将Sb2Te3薄膜用作CdTe太阳......
1987年10月19日,道琼斯工业平均指数在短短一天内从2246点跌至1738点,市值蒸发25%;而1929年10月29日的“黑色星期四”股指跌幅也不......
文章基于CZTSe光伏材料的相图,从理论上研究了(1)基于富Zn相的生长路线;(2)基于Cu2SnSe3-ZnSe的两者反应生长路线;(3)基于富Cu相的......
在蓝-绿发射SrSe:Ce荧光粉层的制备时,用电子束蒸发方法添加硫可以非常有效地改善电致发光的亮度。观察到荧光粉层结构的改变。硫......
一、前言在薄膜电致发光(TFEL)器件发光层中,主要使用的是以 ZnS 为基质的橙色 ZnS:Mn,绿色 ZnS:Tb 以及红色 ZnS:Sm 发光材料。随......
一种简单的两步工艺被用来制备ZnTe薄膜。这种技术涉及的是在惰性气氛中对Zn和Te进行水溶性电解而淀积Te和Zn的堆层。此种方法获得......
目前,平板技术在取代阴极射线管用作计算机的显示器方面取得了明显的进展。目前在市场上已可获得能够显示整页尺寸信息的,具有640&......
本文研究了CaS<sub>1-x</sub>Se<sub>x</sub>∶Eu(0【x【0.5)荧光粉层的薄膜特性,薄膜是用 CaS∶Eu 和 Se 源并利用共蒸发技术制备的......
这个工作主要介绍将掺有稀土发光中心的碱土硫化物,如 CaS 和 SrS 用于制备彩色薄膜电致发光屏。在这些荧光粉的实际应用方面尚存......
作为多色薄膜电致发光器件的有源层,人们对稀土掺杂碱土硫化物进行了深入的研究.特别是 CaS:Eu 和 SrS:Ce,它们分别是红和蓝色 EL ......
利用共蒸发的方法,制备了LiF和Alq3掺杂比例为1:1、1:5、1:7、1:20的样品,以及纯Alq3的样品,测量其吸收光谱、荧光光谱.发现掺杂比......
采用共蒸发法在不同衬底温度下沉积Cu2ZnSnSe4(简称CZTSe)薄膜,分析了衬底温度对CZTSe材料性质及电池性能的影响。研究表明:当衬底......