CdTe薄膜相关论文
碲化镉（CdTe）是所有薄膜太阳能电池吸收材料中最有前途和领先的材料。为了降低与传统Cu掺杂相关的不稳定性和器件退化的可能性,并调......
薄膜太阳电池的稳定性直接影响到电池在预期使用寿命内的光电转换效率，其研究有重要意义。本文研究了高温下持续光照(80℃，100mW/cm2......
用AMPS1D软件模拟计算了CdTe薄膜电池中背接触层的结构和掺杂水平等因素对电池性能的影响。引入ZnTe或Cd1-χZnχTe复合背接触层都......
为了进一步简化制备工艺和节约成本，我们研究采用近空间升华(CSS)法通过颗粒CdTe沉积制备CdTe薄膜。从而省去了制源这个环节。制备......
采用CBD法在透明导电薄膜上沉积CdS,在自主研发的设备中利用CSS法沉积CdTe薄膜,制备出了0.12m2的大面积CdTe薄膜.对薄膜进行了XRD......
近年来,CdS/CdTe太阳能电池因其高光伏效率、低制造成本得到了广泛的关注.本文主要介绍了本创新团队制备CdS/CdTe异质结太阳能电池......
碲化镉（CdTe）是一种重要的II-VI族半导体材料,已广泛用于X射线和γ射线探测器以及薄膜太阳能电池领域。由于相同的晶体结构及晶格匹......
采用近距离升华法(Close-Spaced-Sublimation,CSS)引入Bi催化剂成功制备出了具有纳米线、近阵列排布的纳米棒等形貌的纳米晶CdTe薄......
本工作是采用光感生电流瞬态谱技术,对半绝缘砷化镓衬底上分子束外延生长的高阻碲化镉薄膜中的深能级进行了测量与分析。发现......
在CdS/CdTe 太阳电池的制备中,易引入并形成各种深能级杂质.本文用深能级瞬态谱技术研究了石墨背接触CdS/CdTe 薄膜太阳电池的杂质......
本文制作了以共蒸发Cu2Te、掺杂石墨为背接触层的两种CdS/CdTe薄膜太阳电池。用深能级瞬态谱研究了它们的深能级中心。在以共蒸发C......
碲化镉(CdTe)具有良好的光电学性质和化学性质,因此成为制备高效率、低成本的多晶薄膜太阳电池理想的吸收层材料。本论文综述了CdT......
CdTe属于II-VI族半导体化合物,具有较窄的禁带宽度(1.45 e V)、较高的光吸收系数和理论转化效率,作为吸收层材料广泛应用于太阳能......
碲化镉(CdTe)薄膜太阳能电池是一种以p型CdTe和n型CdS所组成的异质结为基础的薄膜太阳能电池。CdTe层作为光吸收层,其禁带宽度为1.......
采用真空蒸发法在玻璃衬底上制备纯的和金属Sb掺杂的CdTe薄膜,在氩气的保护下对薄膜进行不同条件的热处理。并采用X射线衍射仪、原......
CdTe薄膜太阳电池是最具有应用前景的低成本薄膜太阳电池之一，极具研究价值和市场潜力.本研究组致力于高转换效率CdTe太阳电池......
本论文采用近空间升华法制备了CdTe薄膜，并对其性能及其在量子点敏化太阳电池中的应用进行了研究。使用X-射线能谱仪(EDS)、扫描电......
本论文的研究内容系“九五”科技攻关项目——《Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体多晶薄膜太阳电池的研制》的一部分。论文以CdTe／CdS薄膜及其异......
CdTe具有良好的光电学性质和化学性质，因此成为制备高效率、低成本的多晶薄膜太阳电池理想的吸收层材料。然而，制备高效CdTe／CdS多晶......
21世纪以来，在能源、环境问题日趋严重的形式下，我国将太阳电池的研发和推进产业化列入相应的国家计划，同时增加了对太阳电池的投入。......
对SnO2:F、ZnTe:Cu化合物半导体多晶薄膜和CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池进行电子辐照,研究辐照能量、注量对薄膜性质和器件性能的影响......
学位
采用真空蒸发法在玻璃衬底上制备了稀土Nd、Dy掺杂的CdTe薄膜,在氮气气氛中,分别在300℃、400℃、500℃下对薄膜进行热处理,并采用......
通过优化ＧａＡｓ表面制备工艺、反应管清洁处理工艺、ＧａＡｓ表面预处理工艺、生长条件及优选ＧａＡｓ衬底方向等措施，在水平与常压ＭＯＶＰＥ装置中，用二乙基锌（ＤＥＺｎ）、二甲......
采用硝酸-磷酸腐蚀CdTe薄膜,研究了硝酸-磷酸腐蚀速率、浓度、时间对薄膜的结构、形貌、组分的影响,获得腐蚀的最佳工艺条件.在腐......
真空蒸发技术制备的 Cd Te薄膜在可见光范围内的透射率很低 ,而且受材料配比和掺杂等因素的影响 .通过 Cd Te薄膜的透射光谱可计算......
采用离子注入技术对近距离升华制备的CdTe薄膜进行Er3+掺杂研究.讨论了不同掺Er3+浓度对CdTe薄膜的结构和光电性能的影响.利用X射......
采用近距离升华技术制备了掺杂Cd元素的CdTe多晶薄膜.利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜表征其微结构,用霍尔效应测试仪和紫外可见......
采用双源蒸镀法制备了稀土Dy掺杂CdTe薄膜,并对薄膜的晶体学和光学性质进行了研究。结果表明,掺杂Dy使薄膜中富Te的情况更加严重,......
通过研究大面积CdTe多晶薄膜沉积的升温过程,并调节石墨群边改进加热灯管的分布获得了较均匀的温场,在混合氩氧气氛下,用自行设计......
采用共溅射法在ITo/玻璃基片上沉积CdTe掺Nd薄膜,并利用XRD和阻抗测试研究薄膜的结构和电导性能.结果表明,适当Nd掺入可以改善CdTe......
用近空间升华法制备CdTe薄膜.研究了在不同衬底材料、基片温度下薄膜的微结构.衬底温度在400℃以上薄膜结晶状况较为完整.结晶状况......
采用硝酸-磷酸腐蚀CdTe薄膜,研究了硝酸-磷酸腐蚀速率、浓度、时间对薄膜的结构、形貌、组分的影响,获得腐蚀的最佳工艺条件.在腐......
采用等离子束溅射轰击刻蚀和溴甲醇腐蚀对CdTe薄膜表面进行后处理．对比研究了2种腐蚀条件下CdTe薄膜的光谱特性．结果表明：等离子束溅......
用固态HgTe作为Hg补偿源,采用开管、水平滑块推舟的富Te液相外延(LPE)方法在碲锌镉(Cd1-yZnyTe, y＝0.04)衬底上外延生长大面积Hg1-x......
用极谱法分析电沉积 CdTe 半导体薄膜中 Cd 和 Te 的含量随电沉积电位、沉积温度和热处理温度的变化,获得 Cd 和 Te 原子数之比几......
用自行设计的大面积CdTe薄膜沉积设备在混合氩氧气氛下,采用近空间升华法(CSS)沉积大面积的CdTe薄膜,研究衬底温度均匀性对薄膜微......
真空蒸发技术制备的CdTe薄膜在可见光范围内的透射率很低，而且受材料配比和掺杂等因素的影响。通过CdTe薄膜的透射光谱可计算出其吸......
用闭空间升华法制备CdTe薄膜。研究了衬底材料，基片温度对膜微结构的影响。衬底温度在400℃以上薄膜结晶状况较为完整。结晶状况较......
用射频磁控溅射在普通玻璃衬底上制备CdTe薄膜。采用XRD对制备出的薄膜进行分析研究;并讨论了溅射气压、溅射功率对薄膜结晶性的影......
利用X射线衍射（XRD）和喇曼（Raman）光谱对在陶瓷基底上近距离升华（CSS）制备的纯CdTe薄膜以及稀土镝（Dy）离子5×10^14cm^-2高剂量注入的C......
