快速退火后重掺硼的分子束外延层的电学特性

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对快速退火后用共蒸发B_2O_3方法实现重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究.1100℃退火可以使得外延层中载流子浓度提高4倍,空穴的霍耳迁移率与相同浓度下硅体材料的水平相当;外延层与衬底之间载流子浓度转变陡峭,获得了晶体质量良好的外延层. The electrical properties of boron-doped Si molecular beam epitaxial layers after co-evaporation with B 2 O 3 were investigated. 1100 ℃ annealing can make the epitaxial layer carrier concentration increased by 4 times, hole Hall mobility and the same concentration of silicon material at the same level; epitaxial layer and the substrate between the carrier concentration transition steep, obtained Good crystal quality epitaxial layer.
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