硅基Bi4Ti3O12薄膜的C-V特性研究

来源 :材料科学与工程学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：talygs

【摘要】

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Bi4 Ti3O12是典型的层状钙钛矿结构铁电材料,具有优良的压电、铁电、热释电和电光等性能,可广泛应用于铁电存储器、压电和电光等器件.本文在硅衬底上利用溶胶凝胶法制备出Bi4

【作者】

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付承菊郭冬云黄志雄

【机构】

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武汉理工大学材料科学与工程学院

【出处】

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材料科学与工程学报

【发表日期】

：

2005年1期

【关键词】

：

BI4TI3O12 铁电薄膜 SOL-GEL法 C-V特性 Ferroelectric thin films Bi_4Ti_3O_(12) Sol-Gel

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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Bi4 Ti3O12是典型的层状钙钛矿结构铁电材料,具有优良的压电、铁电、热释电和电光等性能,可广泛应用于铁电存储器、压电和电光等器件.本文在硅衬底上利用溶胶凝胶法制备出Bi4 Ti3O12铁电薄膜,并且对其性能进行了研究.测量不同退火温度下得到的Ag/BTO/p-Si结构的C-V曲线,结果表明Bi4 Ti3O12薄膜在合适的制备工艺下可望实现极化型存储.

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