集成电路制造相关论文
通过神经网络方法提出了一种半导体制造系统的调度方法,利用历史Qzone派工数据训练深度神经网络模型,利用模型得到不同WIP分布下的......
随着特征尺寸（CD）的不断减小和套刻精度的不断提高,对AMC（气相分子污染物）引起的污染问题越来越重视。投影光刻机中对AMC的浓度的控制,......
阐述4H-SiC同质外延生长过程中出现的三角形缺陷。基于三角形缺陷的成核原理，对外延层结构和生长参数进行改进，从而在4H-SiC衬底与外......
集成电路制造也称芯片制造，在整个工业产业链中越来越重要，而电化学沉积（电镀）等表面技术起到非常关键的作用。介绍芯片制造中用到的电......
阐述腔体匹配（Chamber Matching, CM）是纳米尺度半导体工艺最为关键的挑战之一，随着特征尺寸的不断缩小，半导体工艺对细微误差变得越发......
阐述集成电路锗硅工艺中栅极顶部边缘锗硅冗余生长缺陷的产生机理，工艺流程改进，控制栅极氮化硅掩模层的残留量来解决该缺陷，探讨锗硅......
基于FinFET平台，阐述镶嵌式源漏区锗硅外延工艺L1种子层的优化，通过开发出循环式外延锗硅工艺，对L1种子层B浓度提升带来的选择性失效......
阐述在14nm FinFET及以下工艺，由于器件需要，较多制程刻蚀后关键尺寸为22nm。DUV光刻工艺关键尺寸的极限38nm左右。探讨在形成最终的......
阐述CMOS技术进入深纳米工艺节点，鳍式场效应晶体管以其优异的电学性能成为目前的主流器件。当工艺发展到Fin周期小于40nm时，开展自......
集成电路是电子信息产业的基础与核心,是提升国家综合国力和保障国家安全的重要支柱产业。全球多个国家都将集成电路产业纳入国家......
在线测量检测技术与装备是保证集成电路（IC）制造质量和良率的唯一有效技术手段，在IC制造过程中必须对IC纳米结构的关键尺寸、套刻误差......
分析表明,我国目前正在新建和扩建的晶圆生产线和封装生产线都将进入量产。探讨我国半导体材料市场规模,主要半导体材料产品的发展......
采用ORBIT系统的FAMPAT专利数据库,针对全球集成电路制造领域技术进行分析和研究,其中着重对于全球专利申请趋势,全球专利家族分布......
光刻胶是集成电路光刻工艺中的关键材料,光刻胶产业具有很高的技术壁垒,市场基本被国外企业垄断。近年来,随着集成电路芯片制造产......
阐述氧气纯化器达到PPB级别的工序原理，022Cr17Ni12Mo2管道和阀门对指标稳定的影响，再生温度控制系统对氧气纯化器稳定运行的影响。......
阐述半导体制造过程中的重要设备气体纯化器的发展背景,气体纯化设备的国产化替代历程,存在的问题和应对的策略,从而适应集成电路......
阐述半导体生产中,连环许容时间区段某工序设备异常时,实现产品实时调度的管理方法.通过设置产品在各许容时工艺段的品质风险等级,......
阐述在半导体制造过程中,钨化学气相沉积工艺由于其在接触孔/通孔中优良的填孔能力而被广泛应用于芯片制造中,在钨薄膜淀积过程中......
针对晶圆测试过程不同测试温度下出现的针痕不佳问题,研究探针卡的基板材料在此问题中产生的影响。通过实验,收集常见基板材料在不......
在集成电路制造中,湿法清洗工艺中铝金属腐蚀是一种致命缺陷,它的出现将引发产品的可靠性问题.通过控制清洗过程中的工艺参数,增加......
投影光刻机的性能直接决定了集成电路的特征线宽,随着特征尺寸（CD）的不断减小和套刻精度的不断提高,AMC将会越来越严重地影响圆片的......
分析集成电路产业的发展趋势,在技术进步推动、应用广泛渗透和新兴产业发展等因素驱动下,集成电路应用市场仍将不断发展,产业投资......
阐述在诸多的双大马士革结构刻蚀工艺中,金属硬质掩模一体化刻蚀工艺是迄今为止最为先进的工艺,既能解决传统工艺中所固有的低介电......
阐述KLA 3xx系列机台可提供光掩模缺陷检测、量测和数据分析处理,能够协助光掩模制造商识别光掩模缺陷和图案位置错误,降低良率风......
基于半导体行业发展迅速,电子器件生产工艺流程复杂,大量酸、碱及有机溶剂和特殊气体的使用导致废气的产生和排放,对大气影响突出,......
为了降低紫外光刻投影物镜受环境温度稳定性引起的性能恶化（主要是焦面偏移等）,借鉴空间红外光学的无热化的研究成果,并结合投影物镜......
There is a big boost in demand of MEMS in the last two years driven by their use in consumer applications such as smart ......
当前,在5G、云计算、人工智能以及大数据等需求的强力推动下,作为基础工艺的集成电路制造技术发展迅猛,器件的关键尺寸不断缩小,同......
当今社会集成电路产业发展迅速,集成电路产业链各环节岗位对于专业人才的需求量也在不断增大,如何培养满足集成电路产业供给侧改革......
随着CIS技术的发展和广泛应用,小透光率(Transmission rate,TR)的浅沟槽刻蚀得到最为广泛的应用。针对浅沟槽刻蚀,特别是小透光率......
针对集成电路制造过程中遇到的硅晶体滑移位错以及其引发的低良率问题(表现为器件漏电),提出改变衬底硅的形貌结构(角度)来改善滑......
集成电路产业已高速发展了数十年,芯片制程已由最初的微米级发展到目前的5 nm量产水平,正在向3 nm推进。集成电路工艺逐步逼近物理......
阐述背照式图像传感器(Backside Illumination,BSI)芯片,将硅片减薄后,在photodiode背面搭建CF及Micro Lens,光线由背面射入,增大......
基于某集成电路制造企业的厂务冰水系统阀门老化的案例,阐述运用全面质量管理理论(五要素分析法),分析影响阀门老化的因素及对应的......
研究工艺对CIS图像传感器(CMOS image sensor)的影响.通过隔离注入的优化、沉积薄膜膜质的优化、干法刻蚀工艺的优化及热制程的优......
阐述半导体业务连续性计划的制定对保障工厂的稳定有着深远的影响,包括业务影响分析、关键业务风险评估、发展制定应对计划(应急预......
在CCD芯片制作中,出现金属层脱落的现象,通过分析金属层脱落的原因,开展工艺验证实验,采取相应改进措施,成功解决了金属层脱落的问......
光电一体化全硅系统美国科学家首次把一种多孔硅发光二极管（ＬＥＤ）和传统的微电子电路结合起来，这一技术的进步为把世界用网络连接起来、接......
硅片背损伤对雾缺陷吸除的影响的研究刘峥，翟富义，张椿，尤重远（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：硅片，背损伤，雾缺陷，吸除作用（一）引言双极型与ＮＭＯＳ集......
主要介绍快速热处理（ＲＴＰ）技术［１］，包括在高速双极ＩＣ的快速热退火（ＲＴＡ）［２］、Ｔｉ金属与Ｓｉ形成低阻的ＴｉＳｉ２接触同时，其上表面形成防止Ａｌ往Ｓｉ中渗透的阻挡层ＴｉＮ的ＲＴＰ，及ＥＥＰＲＯＭ隧道薄栅的......
自动设备的特性为设计者提供了更加容易、更加快捷的方法把一度不景气的ASIC设计引入市场
Automated device features give desig......
无论是用电子管、晶体管、场效应管或集成电路制造的放大器,其声音都各有不尽人意的缺憾。究其原因,是这些器件各有与生俱来的物......
本文介绍了可编程逻辑器件GAL的特点及其在数字系统中的应用。
This article describes the characteristics of programmable lo......
提出一种ＩＣ缺陷特征的提取算法，该算法能自动检测出ＩＣ缺陷的位置．在预处理阶段，利用形态开运算消除小缺陷和背景噪音，对开后的结果图像进行......
台湾工业技术研究院电子工业研究所(简称工研院电子所——EPSO/ITRI)成立于1974年。该所成立多年来一直从事微电子器件的新技术、......
