淀积速率相关论文
本文论述了光化学气相淀积（光CVD）SiO2薄膜的原理及方法。用光CVD技术在50～200℃条件下,在Si、InSb及HgCdTe晶片上淀积了SiO2薄膜。对......
<正>一、光化学气相淀积工艺概述在集成电路的各种低温淀积技术中,光化学气相淀积(光CVD)技术.是最年轻、最有前途的.光CVD是利用......
介绍了低压化学气相淀积多晶硅薄膜的制备原理及制备技术.对多晶硅成膜质量进行了分析,分析了影响多晶硅薄膜均匀性、致密性、淀积......
利用LPCVD(低压化学气相淀积)进行了五组原位掺杂多晶硅实验,结合膜的生成原理对实验结果进行了分析,并重点对LPCVD原位掺杂多晶硅......
以实验数据为基础,运用人工神经网络方法,建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECRPlasmaCVD)淀积硅的氮、氧化物介质膜的折射......
用激波理论推出了激光诱导等离子体化学气相淀积过程中两个重要参量薄膜面积、膜淀积速率的表达式.分析了激光强度、气体压强、基......
在硅衬底上用不同淀积速率溅射得到了60 nm厚钽薄膜作为铜布线工艺中的扩散阻挡层.样品在退火前后,用二次离子质谱仪(SIMS)对钽膜......
以SH_4和O_2作为反应气体,利用电感耦合等离子体增强型化学气相淀积（ICPECVD）技术制备了氧化硅薄膜,通过正交试验设计的方法研究了反......
用1.4kW_cwTEM_ooCO_2激光分解TiBr_4,使Ti淀积在不锈钢基体上。对膜的厚度和淀积速率作为TiBr_4的分蒸气压、辐射时间和室温的函......
采用TEOS源LPCVD法制备了SiO2薄膜,采用膜厚仪对薄膜的厚度进行测试。通过不同条件下SiO2薄膜的厚度变化,讨论了TEOS源温度、反应......
本文讨论了用二氯硅烷外延淀积硅的最新研究结果。附带地也给出了利用二氯硅烷淀积多晶硅和氮化硅膜的结果。当淀积温度改变时,由......
应用外部电容耦合式聚合装置,研究了六氟丙烯(HFP)的聚合规律,找到了较好的聚合条件。实验中发现在聚合过程中,随功率增加脱氢作用......
<正>一、光化学气相淀积工艺概述在集成电路的各种低温淀积技术中,光化学气相淀积(光CVD)技术.是最年轻、最有前途的.光CVD是利用......
本文根据现有国内外期刊资料,综合薄膜温度传感器的研制生产状态和发展动向,认为按其固有特点、优势,它有较强的竞争力。从它的结......
研究了等离子增强化学气相淀积（PECVD）制备非晶SiO2薄膜的工艺。系统地研究了反应气体流量比、射频功率、淀积腔内压强、淀积时间等......
期刊
以二氯甲硅烷和氨气分别作为低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅(Si3N4)薄膜的硅源和氨源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中反应......
在研制器件过程中,多晶硅制备的工艺条件对其性能影响较大。讨论了低压化学气相淀积(LPCVD)关键材料多晶硅薄膜的基本原理,考察了......
LPCVD设备是目前国内外半导体集成电路,半导体光电器件制备工艺中常用的CVD设备之一。简要分析正硅酸乙酯源低压化学气相淀积法淀......
期刊
介绍了在玻璃衬底上射频磁控溅射SiO2薄膜的工艺技术,给出了薄膜淀积速率,膜内组分与工艺条件特别是溅射气压的关系。实验证明,和......
使用有机化合物作反应剂在一个LPCVD反应器中淀积了硼磷硅玻璃膜。含硅反应剂是四乙氧基硅烷(TEOS),含硼反应剂是硼酸三甲脂(TMB),......
常压化学汽相淀积(APCVD)硼/磷硅玻璃膜(BPSG)已经确定了最佳条件,能更有效地利用反应剂,得到颗粒杂质比以前少得多的玻璃膜。这些......
<正>一、引言 在半导体器件工艺中,普遍采用CVD（化学汽相淀积）方法生长掺杂或不掺杂的SiO2薄膜,作为器件表面的钝化层、掺杂的SiO2......
镍铬合金是制造薄膜电阻的常用材料。这种电阻材料虽然电阻率高、高温性能稳定,但正温度系数较大(约2×10~(-4)/℃),不能用作温度......
本文介绍了将直流反应溅射技术应用于制备三化二铝薄膜的实验情况,给出了硅衬底溅射三氧化二铝膜的实验结果.除了研究影响溅射的因......
<正>一、引言 随着集成电路向高集成度、高速度和低功耗的方向发展,人们研究和发展了适应这种要求的各种新工艺方法,多晶硅工艺就......
本文主要分析等离子增强化学汽相淀积（简称PECVD）二氧化硅的生长机理。用硅烷（SiH4）和二氧化碳（CO2）通过射频电场产生辉光放电等离子体,......
根据某型号产品车长镜对宽波段分色膜的实际需要,利用膜系特征矩阵对分色膜膜系结构进行分析,指出了常用的全介质长(短)波通滤光膜......
随着半导体技术的飞速发展，单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长，与此同时，半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望......
化学汽相淀积(CVD)技术是大规模和超大规模集成电路制作中应用最广泛的重要技术之一。自从硅CCD和红外CCD问世以来,CVD技术受到了......
该文简介了全球集成元件的应用现状.展望了其发展前景.研究了国外集成薄膜电阻器、电容器及无源组件的关键工艺技术。探讨了我国在......
本文介绍用四乙基正硅酸盐（TEOS）等离子体加速化学气相淀积SiO2膜的试验研究情况。发现,当采用氧作氧化剂的时候,所产生的膜大约含有......
<正> 一、引言近几年来,硅双极晶体管有很大发展,在 L、S 波段达到了实用阶段,并正向 C 和X 波段进展。这些进展的取得,主要是工艺......
<正> 金刚石薄膜由磁场偏转CH~+离子流淀积制成。对在薄膜的形成过程中混入中性粒子的可能性及对薄膜生成的影响做了检测。结果表......
首先介绍了多晶电阻在线监控和工艺控制模块（PCM）监控的两种方法：四探针法和范德堡法，并解决了四探针法在线监控方法多晶电阻波动大的......
薄膜光学是物理学的年青分支,它主要研究光在分层介质中的传播规律。其最早萌芽于十七世纪中叶。真正的发展是从1930年出现了油扩......
近几年来,具有类金刚石特性的氢化非晶碳膜(a—C:H)受到了越来越多的重视。本文详细综述了它的制备、结构、特性及应用。......
一、引言为美国应用材料公司技术资料，由华晶公司MOS事业部提供译稿。石松审校？BPSG（硼磷硅玻璃）膜作为多晶硅化物栅连线与第一金属层......
