溅射气压相关论文
利用直流磁控溅射法在有机玻璃基底上沉积掺杂氧化铟锡（ITO）透明导电薄膜，在室温条件下，研究了溅射功率、溅射气压、靶基距和氧氩流量......
针对脉冲激光法和升华法制备SiC薄膜时，沉积速率比较低、薄膜厚度不均匀等问题，本文采用真空直流磁控溅射技术，利用一种高含碳量的SiC......
覆层附着性是评定覆层零件性能及其使役可靠性的核心问题,膜基结合力测量是覆层附着性评价的主要方法。针对划痕试验中软膜硬基体......
利用射频反应磁控溅射在显微玻璃、单晶硅片、NaCl和石英上沉积ZrO薄膜.膜厚60~80nm.研究发现,溅射气压升高,薄膜结晶程度降低,同......
本文通过调节气压改变了预制层的初始结晶和薄膜的疏松度，气压为0.4Pa时，预制层初始结晶度为最佳，由表面粗糙度反映的薄膜结构的疏松......
采用磁控溅射方法制备了性能优良的以Pt为缓冲层的(CoCr/Pt)纳米多层膜,研究了溅射气压对(CoCr/Pt)纳米多层膜的微结构和磁性的影......
在机械加工过程中，由于刀具与工件间的摩擦，特别是高速切削时，摩擦副快速上升的温度，极易短时间内导致刀具失效。过渡金属氮化物作为切......
采用中频磁控溅射方法,在氧化铟(ITO)玻璃上采用氧化钨(WO3)陶瓷靶沉积薄膜,研究溅射气压对WO3薄膜结构与光学性能的影响规律,并对......
针对传统制铝技术,为提高膜层结合力、阻隔性,采用射频磁控溅射镀铝工艺,制备纯铝高阻隔性膜层,在PET塑料薄膜表面沉积纯铝的实验.......
随着科学技术的迅速发展,航空技术也成为了重点发展领域。航空与国防之间已经密切相关。目前飞行速度的急剧增大导致了机体不同部......
综述了NdFeB薄膜的国内外研究进展;介绍并分析NdFeB永磁薄膜的制备方法及溅射功率,溅射气压及靶基距对NdFeB薄膜的影响;概括总结Nd......
利用射频磁控溅射法分阶段调制溅射气压在石英衬底上沉淀ZnO∶Ga薄膜。实验分为四组,分别是0.7 Pa/1Pa,1 Pa/1 Pa,1.5 Pa/1 Pa,2 P......
残余应力直接影响镀膜膜层的稳定性与可靠性.为减小薄膜的残余应力,提高镀膜膜层的可靠性,在不同溅射气压、不同镀膜温度条件下,在......
针对RGTO SnO2薄膜颗粒粒径较大的问题，通过对磁控溅射气压的控制，制备出了纳米粒径RGTO SnO2薄膜，用SEM表征了其微观结构及形貌，......
本文用射频磁控溅射方法制备了厚约700nm的Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜,采用Al/BST/ITO结构研究了溅射功率、溅射气压、O2/(Ar+O2)比和......
本文研究了在磁控溅射中溅射气压、溅射电压(溅射功率)与金属Au、Ta薄膜应力的关系,分析了相关的机理,给出了一种用磁控溅射法......
通过对溅射过程中辉光放电视现象及薄膜沉积速率的研究,发现随着氮浓度的增大,靶面上形成一层不稳定的AIN层,由于AIN的溅射速率远......
通过磁控溅射系统,在单晶硅片上制备了六角氮化铝薄膜;改变溅射气压,也得到了垂直基底与平行基底的两种取向;取向生长的原因在于溅......
在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ＜，２＞／Ｓｉ和玻璃衬底上，用射频磁控方法在低温（２５０℃）下沉积薄膜，然后通过热退火得到了高度取向的ＰＺＴ（３０／７０）铁电薄膜及ＰＬＴ（２８／０／１００）多晶铁电薄膜。初步研究了溅射气压和......
采用磁控溅射方法制备了结构相同、溅射气压不同的两个系列的Co/Ni多层膜,进行了结构、磁性和磁电阻测量.发现Co/Ni多层膜的层间磁......
非晶磁弹性薄膜由于具有磁晶各向异性消失和高磁弹耦合系数的特点，应力诱导的各向异性对其磁结构及磁性能将起到显著的影响。本文针......
学位
本文在全面总结智能材料的研究现状和未来发展趋势的基础上,利用射频磁控溅射法制备NiTi/ZnO复合薄膜,并利用XRD、SEM、EDS、DMA、......
基于Parratt循环光学理论和软X射线光学多层膜的选材原则,设计了应用在18 nm附近的Ti/Al软X射线光学多层膜(Λ=9.25 nm,Γ=0.3,N=2......
针对常用的几种低辐射镀膜玻璃的膜层材料，如银层、氮化硅等，分析这些单层膜层对离线低辐射镀膜玻璃性能的影响，提高银的溅射气压......
本文的内容是研制超导混频接收机的前期工作，主要是NbN/AlN/NbN超导隧道结制备工艺的研究，涉及到以下几个方面： (一)和传统的隧道......
采用高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)技术,在铝合金基体上制备V薄膜.研究溅射气压对V薄膜相结构、表面形貌及摩擦学性能的影响.结果表明......
通过RF磁控溅射在不同溅射气压环境中,在石英衬底上制备得到Li-W共掺杂ZnO薄膜(LWZO).对样品进行X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、......
利用射频磁控溅射技术,在不同溅射气压下制备了铟锡锌氧化物薄膜晶体管(ITZO TFT),分析了ITZO TFT电学性能随气压的变化规律。研究......
期刊
采用直流反应磁控溅射法在玻璃基片上制备了 Ti O2 薄膜。靶材为纯度 99.9%的钛靶 ,溅射时基片不加热。XRD结果显示 ,所得 Ti O2 ......
采用DC反应磁控溅射法,在Si(111)和玻璃基底上成功的制备了AIN薄膜.研究溅射过程中溅射气压对薄膜性能的影响.结果表明:薄膜中原子......
在氧气和氩气的混合气体中,采用射频磁控溅射方法在蓝宝石基片上溅射生长了Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)薄膜,使用微细加工工艺制备了BST薄......
采用磁控溅射法制备了性能优良的以Pt为缓冲层的 [Co85Cr1 5 Pt]2 0 多层膜 ,研究了溅射气压对 [Co85Cr1 5 Pt]2 0 多层膜微结构和......
为改善Ni80Fe20薄膜的性能,研究不同溅射气压对薄膜微结构和各向异性磁电阻的影响。用磁控溅射方法制备Ni80Fe20薄膜,用X射线衍射......
期刊
研究了不同溅射气压条件下磁控溅射制备w／si多层膜过程中的应力变化，使用X射线衍射仪测量了多层膜的结构，使用实时应力测量装置研究w／s......
利用磁控溅射法制备了一种新型AgInSbTe相变薄膜.分析了溅射气压和溅射功率对非晶态和晶态相变薄膜反射率的影响,结果表明不同溅射......
研究了金属预制层制备过程中溅射气压对Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)薄膜及电池器件性能的影响。通过调节溅射气压改变预制层的结晶状态......
通过反应溅射,以硅基片(表面上有白金加热电极)为基底制作H2S薄膜气敏元件.实验表明,纳米SnO2对H2S具有较高的敏感度,对干扰气体的......
利用磁控溅射,通过溅射过程中施加一横向静磁场,并在真空中退火的方法在玻璃基片上制备了FeCoSiB薄膜.当偏置磁场从4800 A/m增加到......
为研究Ti/Al多层膜的结构和热稳定性与溅射气压的关系,采用对向靶直流磁控溅射法在0.5、2.0 Pa的溅射气压下制备了Ti/Al软X射线光......
采用磁控溅射方法分别在ITO玻璃和硅片上成功制备了具有良好C轴取向的ZnO薄膜．并研究了溅射气压，基底温度，以及氧偏压对ZnO薄膜物性的......
以纯铝为靶材,在不同溅射气压下采用直流磁控反应溅射方法制备了Al2O3薄膜.用扫描电镜（SEM）、能谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）、台阶仪、......
采用射频磁控溅射技术,在常温状态下在玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO透明导电薄膜.利用XRD和AFM分别对薄膜的晶体结构和表面微观形貌......
采用磁控反应溅射方法,在Si(100)衬底上沉积c-BN薄膜.研究了溅射气压和沉积时间对薄膜结构的影响.结果表明.随溅射气压的升高或沉......
