【摘 要】
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本文报道了利用自设计的PECVD系统成功地在光刻胶上淀积SiO_2,满足了在微细加工技术的三层胶工艺中对中间介质层的要求。淀积温度为200～280℃,反应气体是SiH_4—N_2O体系。
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【机 构】
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骊山微电子学研究所,骊山微电子学研究所,骊山微电子学研究所 陕西临潼,陕西临潼,陕西临潼
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本文报道了利用自设计的PECVD系统成功地在光刻胶上淀积SiO_2,满足了在微细加工技术的三层胶工艺中对中间介质层的要求。淀积温度为200～280℃,反应气体是SiH_4—N_2O体系。
This paper reports the successful deposition of SiO 2 on a photoresist using a self-designed PECVD system to meet the requirements of the intermediate dielectric layer in the three-layer gluing process of microfabrication. The deposition temperature is 200 ~ 280 ℃, the reaction gas is SiH_4-N_2O system.
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