新型器件相关论文
目前ＧａＡｓ基低噪声ＨＥＭＴ，包括用于ＤＢＳ的ＩｎＧａＡｓ／Ｎ－ＡｌＧａＡｓＰＨＥＭＴ已经商品化，且ＧａＡｓ基功率ＨＢＴ也将很快进入市场。尽管ＩｎＰ基ＨＥＭＴ或ＨＢＴ仍处于研究与发展阶段，但由于它们特殊的电性能，它们将有希望......
AD676是美国模拟器件公司最近推出的一种新型器件.它是一种多功能16位并行输出的模/数转换器,其转换导通率为100μsps,总的转换时......
以研究和制造在系统可编程(ISP)器件而著称的美国Latice半导体公司最近推出将通用可编程逻辑和专用存储模块或寄存器/计数器模块......
25000门的在系统可编程(ISP)器件ispLSI6192在通用PLD中集成了4K存储模块 和速度为125MHz的寄存器/计数器模块 面向应用的器件结构......
首次应用一种新的物理构想和工作机制设计了新型的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ红外探测器，并进行了理论计算、器件研制和测试分析。结果表明，这种新型探测器与常......
在ＧａＡｓ集成电路和器件研制中，离子注入是关键技术之一．介绍了用离子注入ＧａＡｓ形成ｎ型和ｐ型区，以及离子注入ｐ型和ｎ型ＧａＡｓ形成绝缘层、形成ｎ＋ＧａＡｓ深埋层等重要技......
采用可控硅过零触发方式工作的新型实用调功器.
The use of thyristor zero-trigger mode of work of the new utility regulator......
高迁移率GaAs/AIGaAs二维电子气(2DEG)结构材料在基础物理研究和新型器件及电路的应用方面有十分重要的意义。低温电子迁移率μ超......
１．引言外延生长是半导体材料和器件制造的最关键的工艺技术，外延技术的发展与材料及器件的发展互相促进，共同发展。外延生长技术的应用......
描述了真空微电子器件的发展概况，特别对场发射阵列的结构设计进展、微波用场发射阵列研究、低压场发射阵列研究以及场发射平板显示......
短沟效应将成为限制ＭＯＳ器件进一步缩小的主要因素。利用求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程的变分方法对短沟效应进行了分析，导出了表征器件短沟效应的自然沟长尺......
电流反馈运算放大器CFOA是近几年才推出的新型器件。与电压反馈运算放大器VFOA相比，CFOA具有更宽的带宽和更高的转换速率。如电压运......
传统的半导体三极管(又称晶体三极管或晶体管)由两个PN结和三个电极构成,从结构上看有NPN和PNP两种基本类型.其工作原理是大家所熟......
输出功率为几十个毫瓦的分布反馈激光器成为许多数据通信应用所有睐的光源，但是这些激光器通常需要解放大器件以扩展输出功率到１００ｍＷ范围......
VK05CFL是意法半导体(ST)公司采用“VIPower M3-3”专利技术、专门为驱动5～23W小功率紧凑型荧光灯(CFL)而设计的单片IC。这种新型......
NewFocus公司专门为喇曼放大器和大功率掺铒光纤放大器设计了一种iPBC型混合泵浦组合器。采用专利技术设计，iPBC型混合组合器能执行......
构建一个时钟应该是最简单的工程设计任务之一,除非你需要它是小型、稳定和可调的。采用一些传统方法时需要一个555型计时器,或一......
美国科学家已制成单原子小型激光器。据报道,这种新型器件可比传统多原子激光器产生更有序的光束。由加州理工学院基姆波尔等人设......
本文对SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺进行了研究,在研究了一些关键的单项工艺的基础上,提出了五个离速SiGe/Si HBT结构和一个低噪声Si......
提出一种应用于CMOS图像传感器的新型光电检测器件-双极型光栅晶体管,并建立了其瞬态等效电路模型,利用电路模拟软件HSPICE的多瞬......
德州仪器(TI)宣布将在未来18个月内推出50款新型器件,从而大规模扩展MSP430超低功耗微控制器(MCU)平台。首批MSP430F20xxMCU系列器......
一、前言从各种电子材料的分析中,本文拟就硅半导体、化合物半导体有关的分析作一综述。在半导体工业领域,当前需要研究的课题有......
反射式介质膜光学相位延迟器件在具有波片的功能的同时，还可用作光束保偏（或相移）转向器件及光束保偏（或相移）平移器件等，是光学领域中近......
UIUC(University of Illinois at Urbana Champaign,伊利诺大学香槟分校)的科学家们再次打破他们自己所保持的最快晶体管的世界纪......
Rensselaer Polytechnic Institute的研究员推出了具有显著改进发光性能和更好能效的LED。与三星电工合作开发的这款偏振区配LED,......
通过在器件模拟中引入考虑了速度过冲效应的水动力学模型,对单载流子光探测器(UTC-PD)的传统漂移扩散模型进行了改进。结果表明,电......
本文阐述了宽禁带半导体材料SiC的晶体结构、材料特性及制备方法。同时综述了离子束技术在SiC研究中的应用。其中包括SiC的离子束......
赛灵思公司(Xilinx,Inc.)宣布其旗下首批Artix-7FPGA系列产品正式出货。该新型器件将FPGA技术的触角延伸至那些小型、低成本可编程......
集成化真空电子器件借鉴了集成电路的概念,通过采用高精度平面高频系统,微加工和微组装技术,发展出结构紧凑、一致性好、频带宽和......
80年代末,90年代初,美国汽车电子产品市场上出现了几种新型器件,主要有:1 32位微处理器摩托罗拉的32位微处理器MC68332,可以运行......
从模式保留和转换的角度,过模波导器件可分为模式转换器、模式保留器和模式综合器.传统方法只解决其中一种器件的设计或者对器件的......
可调光功率分束器是集成光子系统中的重要功能器件,其光功率输出具有动态可调控特性,诸多光子系统对其有着广泛需求.本文基于空隙......
半导体器件的发明和应用深刻地改变了近50年的人类历史发展进程。进入21世纪,半导体器件无处不在,已成为构筑信息化社会的基石。同......
美国阿尔法和欧米伽半导体技术公司是功率半导体器件和功率集成电路的设计商、开发商及全球供应商。日前,该公司宣布推出6种新型25......
2014年4月10日,英飞凌科技股份公司宣布推出700 W L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率(700 W),适用于工作......
美国宾夕法尼亚州立大学的研究人员开发出一种新型晶体管,可能会使快速、低功耗计算器件成为可能,这些器件主要针对能源受限的应用......
阈值电压是MOSFET最重要的电学参数,它在器件模拟和电路设计方面起着举足轻重的作用。本文分析总结了目前比较常用的阈值电压的提......
计算机技术,特别是超大规模集成电路(VLSI)技术和精减指令集计算机(RISC)技术近期迅速发展,为当今计算机应用领域的开拓提供了新型......
中国电子科技集团公司第十三研究所成功研制出专用于高压窄脉冲输出的新型器件—DSRD,并开发出以此器件为核心的全固态小型化高重......
包含新技术、新材料的新型器件的不断涌现,使现有的传统器件模型已不能完全表征石墨烯场效应晶体管(GFET)的特性。提出了一种基于......
研究了黄光OLED发光层间加入界面过渡层对OLED发光性能的影响。实验制备新型黄光OLED的发光层结构为CBP:R-4B/CBP:Girl:R-4B/CBP:G......
