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如何提高硅基薄膜太阳电池的稳定性是硅基薄膜太阳电池研究和产业化过程中非常重要的问题。为了提高非晶硅/微晶硅叠层电池的光稳......
a-SiGe:H材料的光电性能强烈地依赖于沉积条件,选择适当的氢稀释率、气体压强,掺锗率和辉光功率,获得了光带隙为1.45eV,光暗电导比为1.6×10^5的高质量a-SiGe:H材......
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利用射频等离子体增强化学气相沉积工艺(RF-PECVD)制备非晶硅锗薄膜,研究氢稀释率和衬底温度对薄膜光电性能的影响。通过二者的优化......